终于迎来无比振奋人心的好消息，那就是中国4nm芯片正式开始量产，可以说美国芯片禁令已经彻底失效，以前我们总说在芯片领域取得重大突破，但是这一次才是真正的重大突破，因为以前的突破都只是在中低端领域，然而如今我们却在芯片高端领域也取得进展，更是一度达到了国际顶级水平，那么到底是怎么一回事呢？接下来让我们一探究竟。

首先我们来了解一下全球芯片发展现状，那就是台积电和三星都可以代工4nm制程的芯片，也正是因为如此，高通、联发科都可以找其代工，但是受到美国芯片规则影响，我们却无法找台积电代工，比如华为麒麟芯片就无法找台积电代工，这也导致华为无法量产高端芯片，甚至只能购买高通的5G芯片，而且还只能当4G芯片使用，不得不说，这可真是一个天大的笑话，华为在5G技术领域领先全球，却不能生产自己的5G手机，但是如今则不同了，我国纯国产4nm芯片不仅开始量产，其性能更是达到了国际领先水平。

虽说我们在芯片领域一直都在不断突破，但是大多都是在芯片设计领域，然而我们却依然离不开EDA工业设计软件的支持，同时也离不开台积电的代工，更是离不开荷兰ASML的EUV光刻机，也正是因为如此，我们甚至连7nm、5nm制程的高端芯片都无法量产，但是如今则不同了，中国在芯片领域真正取得重大突破，中国4nm芯片正式开始量产，也意味着美国的芯片禁令彻底失效。

我们都知道，为了阻止中国芯片产业的发展，美国可谓是不留余地，不仅禁止我们购买高端芯片，更是禁止我们购买可以用于生产高端芯片的设备，那么想要突破美国的技术封锁，想要彻底让美国的芯片禁令彻底失效，我们更是从光刻机还有原材料等方面入手，虽说都相应取得了不小的进展，但是依然还是不能打造出高端芯片，可是来自江苏的长电科技却彻底打破了这一现状，不得不说，实在是无比振奋人心，那么到底是什么技术这么厉害？中国在芯片领域究竟突破到了什么地步呢？

根据长电科技官方介绍的相关信息显示，目前长电科技已经在先进封装技术上取得重大突破，那就是通过连接功能不同的数个芯片，从而实现4nm芯片等同性能的小芯片，而且更加重要的是，这项技术更是被视为中国突破美国技术封锁的核心科技，不仅如此，这还不是纸上谈兵，更是已经付出了实际行动，因为长电科技开发的先进封装技术，更是已经开始为国际客户进行芯片封装的量产。

确实如此，像这种小型的4nm芯片，是采用高密度多维异构集成系列工艺制造而成，更是按照原有计划进入稳定量产阶段，同步实现了国际客户4nm节点多芯片系统集成封装产品出货，最大封装面积更是达到了约1500平方毫米的系统级封装，可以说有了这项技术，就意味着我国在芯片领域已经处于国际先进水平，当然也不要高兴的那么早，因为其使用的范围仍然具有一定的局限性，但是也不要过于失望，因为长电科技还是将充分发挥技术优势，来进一步完善芯片的性能和稳定性，更是要在高性能、人工智能、5G、汽车电子等领域广泛应用。

但是不管怎么样，这都是一项不需要国外技术，就能打造高端芯片的核心科技，如今我国掌握了这项核心科技，就意味着今后将不存在被卡脖子的情况，而且更加重要的是，随着传统电子芯片技术发展遇到瓶颈，众所周知，想要打造更加先进制程工艺的芯片，就需要升级光刻机或更换半导体原材料，这是国外厂商唯一的出路，但却不是中国唯一的出路，因为在芯片领域中国研究得更加广泛，我们不仅掌握了大量新型半导体原材料资源，如今更是掌握了更加先进的封装技术，这项技术也极有可能让我们实现弯道超车，彻底摆脱对欧美技术的依赖，从而在半导体领域发光发热。

那么为什么要这么说呢？正如前面所说，电子芯片技术发展遇到瓶颈，就是因为用于制造芯片的硅材料存在物理极限，当发展到1nm以下时，传统电子芯片会因为电子开关的问题无法使用，芯片自然也就无法正常工作，但是我国实现突破的4nm芯片技术则不同，因为它是采用了高密度多维异构集成系列工艺制造而成，也就是说可以在4nm，甚至是今后发展到2nm的基础上进行叠加，或者扩大面积的方式增加芯片性能，从而实现真正超越1nm芯片性能的芯片产品。

不得不说，实在是无比振奋人心，当听到这个消息的时候，不仅让我们看到了中国芯片产业发展的希望，也让我们看到了中国才是全球半导体最具发展潜力的国家，而且更加重要的是，中国4nm芯片开始量产仅仅只是一个缩影，因为我们还有很多弯道超车或摆脱欧美技术的科技，只不过现在还处在研发阶段不方便展示，相信随着时间的推移，以及我国科研人员的不断努力，未来我们在半导体领域还会取得更大的突破，届时不仅是成功摆脱对欧美技术的依赖，中国的芯片技术更是成为欧美唯一的依赖。对此，您怎么看？欢迎在评论区留言讨论。