上次罗列了市面上的PCIE 4.0硬盘，有值友询问不同平台使用PCIE 4.0硬盘度是否有差异。带着这个疑问，利用手头的PCIe4.0硬盘和双平台迷你主机，对比下Intel与AMD谁支持度更好？
节省时间，直接上CrystalDiskMark的重点数据对比图标。
测试平台有Intel Z590m和AMD B550m，测试固态硬盘有三星980Pro，西部数据SN850和雷克沙NM800。
Intel平台intel平台的测试机组装于上个月，属于极限MATX主板的迷你机。使用了机械大师C24小方糖机箱，整机体积只有12.9L，放在桌面使用非常合适。
三星在PCIE Gen4固态硬盘的发布进度是晚于台系厂商的，不过速度相对台系初代PCIE Gen4固态硬盘，三星980 pro速度更快快。三星980 pro采用了自研Elpis主控，三星128层 3D TLC颗粒，带有LPDDR4缓存。
测试的是三星980 pro 1TB版本固态硬盘，LPDDR4缓存为1GB，SLC模拟缓存在1GB-114GB，最高600TB或5年有限质保。
室温是28度，测试初始开机温度在57度左右。
官方宣传1TB版最高连续读取速度是7000MB/s，最高连续写入速度是5000MB/s。CrystalDiskMark测试比官方宣传速度要慢，最高连续读取速度是6667MB/s，最高连续写入速度是4903MB/s。
AS SSD Benchmark测试块大小是16MB，和CrystalDiskMark的1MB不一样，所以测试分数有差异。响应速度非常快，无论读取还是写入都是0.022ms左右。总评分非常不错，有9099分。
ATTO Disk Benchmark的数据就会直观很多，能看到各种块的写入和读取速度。
TxBENCH测试基本是CrystalDiskMark的验证，结果很接近，最高连续读取速度是6504MB/s，最高连续写入速度是4968MB/s，都没达到官方宣传数据。
官方宣传1TB版SLC缓存是6-114GB，个人使用HD Tune Pro测试很接近。SLC模拟阶段基本写入速度在4000MB/s，缓存写满后会降低到1800MB/s。
SN850是西部数据自从收购闪迪后，第一次发布的PCIE Gen4固态硬盘。SN850采用闪迪Nvme G2（20-82-10034-A1）自研主控，闪迪BiCS4 96层3D TLC颗粒。
购得的是1TB版本，外置2GB DDR4缓存，最高600TB或5年有限质保。
室温是26度，测试初始开机温度在40度左右。
CrystalDiskMark测得最高连续读取速度是6957MB/s，最高连续写入速度是5387MB/s。符合官方宣传最高连续读取速度是7000MB/s，最高连续写入速度是5100MB/s。
AS SSD Benchmark评分8351，主要是连续写入的速度偏弱了些。响应速度上，读取是0.021ms，写入0.015ms。
ATTO Disk Benchmark测试，1MB以上速度都很接近，波动不大。
TxBENCH与CrystalDiskMark数据很接近，测得最高连续读取速度是6718MB/s，最高连续写入速度是5050MB/s。
HD Tune Pro测试显示，写入超过288GB后速度就会下降，算是全盘模拟SLC的模式。一开始写入速度在4500MB/s，288GB后速度会不稳定，在1200-2000MB/s波动。
西部数据SN850的温度升高很明显，HD Tune Pro测试期间最高去到67℃。
雷克沙NM800在7月能买到的电商自营二代主控PCIE Gen4固态硬盘不多，除了三星980pro和西部数据sn850，还有雷克沙NM800。
买的是雷克沙NM800 1TB版本，网上针对这款固态硬盘的数据不多。官方宣传使用了12mm工艺定制主控，1TB版本具备1GB缓存。撕开贴纸，会看到主控标识是innogrit ig5236。innogrit英韧是近期非常有意思的主控厂商，创始人是美籍华人，传言在多家存储公司担任过高层。
室温是25度，测试初始开机温度在35度左右。
官方最高连续读取速度是7400MB/s，最高连续写入速度是5800MB/s，实测读取数据稍低。CrystalDiskMark测得最高连续读取速度是7121MB/s，最高连续写入速度是5791MB/s。
AS SSD Benchmark评分6961分，主要是低在了4K速度上。响应速度非常不错，无论读取还是写入都是0.017ms。
ATTO Disk Benchmark测试显示性能非常不错，1mb以上数据比三星980pro和西部数据sn850都好。
TxBENCH测得最高连续读取速度是6535MB/s，最高连续写入速度是6143MB/s。
模式也是全盘模拟SLC，HD Tune Pro测试显示300GB后不仅仅写入速度在下降，读取速度也下降。写入从5000MB/s降低到1200MB/s，读取从6000MB/s降低到5000MB/s。
HD Tune ProHD Tune Pro测试时温度只有51摄氏度，看来300GB后的速度下降应该和主控调控有关。为了防止温度过高，主控自己降低了性能。
AMD平台AMD平台的测试机组装于月初，为了摆放桌面，同样是极限MATX主板的迷你机，使用了机械大师C24小方糖机箱，整机体积只有12.9L，放在桌面使用非常合适。
基本是顶级性能的黑苹果主机，RX5700XT ITX显卡是朋友大约80000円淘的中古货，上月肉身带回。A卡今年真的一言难尽，6700以上型号一直买不到，新品6600怎么看都像是矿山限定卡。
CrystalDiskMark测得最高连续读取速度是6532MB/s，最高连续写入速度是5010MB/s，和intel平台接近。
AS SSD Benchmark评分8640，比intel平台下分数要低。连续读写数据其实AMD平台下更好，主要差距是4K-64Thrd项目低不少。
ATTO Disk Benchmark测试数据上，写入要比intel平台好，读取数据接近。
TxBENCH测得最高连续读取速度是6456MB/s，最高连续写入速度是4975MB/s，和intel平台接近。
CrystalDiskMark测得最高连续读取速度是7054MB/s，最高连续写入速度是5246MB/s，和intel平台接近。
AS SSD Benchmark评分8307，和intel平台相似。响应速度方面，AMD平台更好。
ATTO Disk Benchmark测试，1MB以上速度和intel平台一样波动不大。
TxBENCH测得最高连续读取速度是6811MB/s，最高连续写入速度是5358MB/s，写入数据对比intel平台稍好。
CrystalDiskMark测得数据是三个硬盘里面最好的，最高连续读取速度是7439MB/s，最高连续写入速度是5834MB/s，和官方数据一致，看来英韧主控偏向AMD平台优化。
AS SSD Benchmark评分7296分，比Intel平台得分高。各细项数据来看，也比Intel平台的数据好。
ATTO Disk Benchmark测试显示，也是AMD平台数据比Intel平台的好。
TxBENCH测得最高连续读取速度是6852MB/s，最高连续写入速度是6124MB/s。
最后汇总全部测试的数据，方便对比。
总的来说，平台差异还是存在的。测试数据显示，部分主控对平台不太敏感，无论AMD还是Intel平台，性能差异不大，例如三星980pro。部分主控平台较为敏感，在AMD平台下性能更佳，例如西数sn850和雷克沙NM800，其中雷克沙NM800差异最为明显。
