根据C114+的报道，台积电正在加速2nm产线建设，并扩大产能规划，预计2025年实现大规模生产。

台积电在2nm工艺中首次引入了纳米片（nanosheet）晶体管结构，取代了传统的FinFET（鳍式场效应晶体管）架构。

这种新的晶体管架构能够更好地控制阈值电压（Vt），从而显著降低Vt波动，至少减少15%。

台积电还采用了多桥通道场效电晶体（MBCFET）架构，进一步提升了晶体管密度和性能。

相比于3nm工艺，在相同功耗下，2nm工艺的速度可以提升10%至15%，而在相同速度下，功耗可以降低25%至30%。这些改进使得2nm工艺在能效比上具有显著优势。

台积电的N2工艺结合了NanoFlex技术，允许芯片设计人员在同一模块中匹配不同高度的元件，从而最大化效能、功耗和面积（PPA）的优势。

这意味着高度较低的元件可以有效节省面积并提高能源效率，而高度较高的元件则能够提供更高的性能。

在2nm工艺中，台积电首次引入了Gate-all-around FETs（GAAFET）晶体管技术。这种技术进一步提升了晶体管的控制能力和效率，是台积电2nm工艺的重要创新点之一。

但是，台积电在2nm工艺上面临的主要技术挑战包括晶体管结构的选择与优化、背面供电技术的应用以及高昂的研发和生产成本。