正常情况下：当MOS管在开关状态时，开关波形应该会和控制信号电压波形一样标准。

但是实际上栅极串联较大的电阻以后，栅极上的充放电电流很小，对电容的充电速度变慢，MOS管出现了未完全导通，并且下一个关闭MOS管的信号又到达了的现象。

我们了解过米勒平台，知道MOS管GS和GD之间都有一个等效电容，电容两端的电压无法突变，因此本质上就是对这些电容进行充放电，让Vgs电压达到导通和关闭的门限。

我们通过这个电路来讲解，在这里当输入信号为1MHz时，幅度5V的方波信号，通过200ohm电阻R1连接到NMOS的G极，但Ud电压最小值还在5V时又开始上升了，开关并没有完全导通。

这时可以将串联电阻R1缩小，大概20ohm，Vd电压信号保持为方波，这就可以进行完全导通了。

但是，当Ud关断时，出现了较长的“爬坡”，也就是说，即使将栅极驱动电流增大了，MOS管本身的开关频率也存在上限。

于是我们将栅极驱动型号的频率降低到100kHz，这时的Ud和Ugs就是一个比较标准的方波信号了。

当MOS管出现不完全导通，以及边沿爬坡缓慢会出现什么情况？

事实上当MOS管完全导通时，MOS管的损耗可以看作为0，也就是说MOS管的损耗只存在于开关的过程中

相反，MOS管的损耗就会加大，并加重发热，最终导致MOS管烧毁。