MOS管的栅极驱动电路到底有几种？下面这六种驱动电路你见过吗？

1.这是一个基本的驱动电路。各个元器件清晰可见。

它需要考虑栅极施加高于Vth电压的能力，高于Vth的G极电压，MOS管导通，低于Vth的G极电压，MOS管关断。

还有对输入电容充分充电的驱动能力。

（R1：影响开关速度/损耗；R2：当输入信号开路时，将栅源电压拉低到0V）

2.用一个逻辑电路或者微控制器驱动MOS管，MOS管提供导电路径，可以有效降低电子设备的功耗。

当MOS管无法在5V下进行驱动时，就可以数字逻辑驱动电路，将驱动电压转换为15V。

这里要注意，驱动电压最好要大于12V，但不要超过20V。

当用R2和R3串联增加栅极驱动电阻，会让MOS管无法在饱和模式下驱动，导致开关速度变慢，开关损耗增加。

相反，减少R2，MOS管在关断时就会有较大的漏电流流向驱动电路，增加功耗，这是它的缺点，但可以通过推挽电路来解决。

3.下图为推挽电路：在驱动电流不足的情况下也适用。

4.第四个是半桥/全桥高端驱动，向栅极施加高电压，接通上管Q1，不过由于Q1的源极电压会随着下管Q2的开关产生变化，所以Q1和Q2的驱动电源不能共用一个地。

5.第五个是脉冲变压器驱动，它不需要使用单独的驱动电压。

这里（2.6）的齐纳二极管是为了快速复位脉冲变压器，另一个电路（2.7）则增加了一个额外的PNP管，提高开关性能。

这个电路是用一个电容和一个脉冲变压器进行串联，让MOS管在关断器件向MOS管施加反向偏置，提高开关速度。此外这里的电容还阻断了DC偏置，防止了脉冲变压器达到了饱和点。

不过有时为了保护电路，需要将MOS管与驱动器隔离。

6.最后就是，使用光耦和浮动电源。不过光耦输出需要单独的电源，如果要使用光耦驱动半桥或者全桥的高边，就需要一个浮动电源了。

以上就是我们本期讲的六种MOS管栅极驱动电路，实际应用中还要其他电路，有机会我们在一起探讨！

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