阿斯麦CEO称无极紫外光源 euv光刻机，我国造不出3纳米芯片，锁死在差距10年。关于阿斯麦(ASML) CEO对于EUV光刻机和中国芯片制造能力的看法，以下是一些关键信息：

1. ASML的EUV光刻机技术进展：ASML正在开发新一代的EUV光刻机——Twinscan EXE:5000系列，该系列机器将具有0.55 NA（高NA）的透镜，分辨率达8nm，以适应3nm及以下制程技术的需求。ASML的首台采用0.55数值孔径(NA)的高数值孔径(High-NA)极紫外(EUV)光刻机已经成功印刷出首批图案，这标志着ASML公司以及整个高数值孔径EUV光刻技术领域的一项重大里程碑。

2. 中国芯片制造能力：中国在芯片制造领域与世界领先技术水平存在差异，特别是在高端光刻机的缺失上。中国芯片制造工艺在最尖端的3nm、5nm工艺上，还无法与国际巨头直接竞争。但中国在7nm工艺上已经有所布局，并且7nm工艺已经能够满足大部分电子产品的性能需求。

3. 中国光子芯片技术突破：中国中科院宣布已经攻克3nm光子芯片技术，并开建第一条生产线，这将使中国成为世界上第一个大规模量产光子芯片的国家。光子芯片技术的重大突破主要是在晶体管技术方面，这使得生产的光子芯片更加先进，达到了3nm的层次。

4. 中国与全球顶尖芯片技术的差距：英特尔CEO基辛格表示，由于出口政策的限制，中国与全球顶尖芯片技术有10年的差距。但需要指出的是，中国在芯片设计方面表现不错，拥有全球数量最多的芯片设计公司，芯片设计水平也位列全球第二，仅次于美国。

综上所述，虽然中国在高端光刻机和先进芯片制造技术上与国际先进水平存在差距，但中国正在通过自主研发和技术创新努力缩小这一差距，特别是在光子芯片技术方面取得了显著进展。因此，说中国“造不出3纳米芯片，锁死在差距10年”并不准确，中国在芯片制造领域正在取得进步，并且有潜力在未来实现更大的突破。