中国芯片产业正处于多点突破的关键阶段,各环节国产化进程显著:芯片设计领域,华为海

智哲谈商业 2025-02-16 11:50:18

中国芯片产业正处于多点突破的关键阶段,各环节国产化进程显著:

芯片设计领域,华为海思已实现3nm技术突破,展现出顶尖设计能力;刻蚀工艺方面,中微半导体的4nm蚀刻机达到世界先进水准;晶圆制造环节,中芯国际14nm生产线进入稳定量产阶段,良品率突破95%;在半导体材料领域,南大光电的28nm光刻胶通过产线验证,打破进口依赖;最受关注的光刻机研制中,上海微电子90nm光刻设备已规模商用,28nm节点攻关进入最后阶段;封装测试领域,长电科技突破4nm先进封装技术,显著提升芯片集成度。

值得注意的是,虽然各环节技术代差明显(最高差达3-4代),但产业链协同效应正在显现:中芯国际14nm产线已实现90%国产设备配套,华为海思3nm设计与长电4nm封装形成技术闭环。业内专家指出,当前既要看到我们在刻蚀、封装等环节的局部领先,也要正视光刻机等核心设备存在的追赶压力。

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风吹草低PIPI凉

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2025-02-16 23:28

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