春节好消息来了！中方在武汉干成了一件大事，白宫呆若木鸡：怎么不按常理出牌？
春节期间真是好消息不断，就在长鑫存储突破DDR5内存工艺和生产制程的多个技术限制，取得产能和工艺制程上的新突破时，东大另一家内存企业长江存储也传来好消息。
当地时间1月30日，据《南华早报》报道，长江存储近期通过独立自主研发，在先进NAND闪存领域取得重大技术进展，成功突破美方技术封锁，首次研制出294层NAND闪存产品，这一成果达到世界领先地位，仅次于SK海力士还在实验室阶段的321层TLC 4D NAND闪存，由于该产品还未进行实际投产，因此，外界普遍认为长江存储在先进NAND闪存领域已经与SK海力士站在了同一水平线上，这是一个里程碑事件。
据媒体报道介绍称，长江存储的最新NAND闪存产品由144层和150层进行两层堆叠制程，位于武汉的长江存储研发中心使用一种先进混合键合技术，开创性地将两个晶圆链接在一起，继而达到提高存储密度的目的，据悉，用于采用了最新一代的Xtacking4.0技术 ，长江存储的294层NAND闪存产品存储密度达到空前的20Gb/平方毫米。
分析人士认为，长江存储研制出294层NAND闪存之后，实际上意味着以中微为代表的东大极高宽深比蚀刻机已经取得关键性突破。据悉，由于新一代存储器架构技术采用多层、多种垂直堆叠技术，这导致新一代3D/4D NAND闪存必须进行多层触点、垂直通孔、侧面阶梯以及通孔连接等极为复杂的三维结构刻蚀加工工艺环节，而生产如此复杂的高性能NAND闪存必须使用极高宽深比蚀刻机来完成其制造工艺，这是新一代3D/4D NAND闪存的核心技术。
外界普遍认为，长江存储的新一代294层NAND闪存产品表明，中微自行研制的新一代极高宽深比蚀刻机已经堪用，不仅成功突破了技术限制，而且打破了对手妄图通过对高性能蚀刻机实施“卡脖子”，来限制东大发展高性能闪存的图谋。
分析指出，实际上，蚀刻机设备是仅次于光刻机的芯片生产设备，也是其核心工艺能力的体现，尽管芯片生产需要经历上百道各种工艺和工序，但是光刻、刻蚀和薄膜沉积是三大关键设备这一点无可动摇，其产品价值占比高达70%左右，突破先进蚀刻设备，大致相当于打通了芯片全产业链中五分之一的设备，其影响力可想而知。
让白宫呆若木鸡的是，长江存储使用的中微蚀刻机在技术上“不按常理出牌”，选择了与美国泛林和LRCX不同的技术路径，在偏压射频源、离子注入等技术领域进行了开创性技术创新，继而弯道超车实现了零的突破。
