芯联集成电路制造申请衬底及其制造方法、半导体器件专利,改善衬底散热性能

金融界 2025-01-25 09:17:07

金融界2025年1月25日消息,国家知识产权局信息显示,芯联集成电路制造股份有限公司申请一项名为“一种衬底及其制造方法、半导体器件”的专利,公开号CN119340290A,申请日期为2024年10月。

专利摘要显示,本申请提供了一种衬底及其制造方法、半导体器件,该衬底包括:第一基底;第二基底,第二基底的厚度小于第一基底的厚度;第一介质层和第二介质层,设置在第一基底和第二基底之间,并将第一基底和所述第二基底连接,其中,第二介质层的导热系数高于第一介质层的导热系数。本申请方案在第一基底和第二基底之间形成有第一介质层和第二介质层,其中,第二介质层的导热系数高于第一介质层的导热系数,能够有效改善衬底的散热性能。

天眼查资料显示,芯联集成电路制造股份有限公司,成立于2018年,位于绍兴市,是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本704664.1万人民币,实缴资本702180万人民币。通过天眼查大数据分析,芯联集成电路制造股份有限公司共对外投资了16家企业,参与招投标项目1702次,知识产权方面有商标信息3条,专利信息663条,此外企业还拥有行政许可40个。

本文源自:金融界

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