IT之家1月21日消息，韩媒ETNews今日报道称，三星电子内部为应对其12nm级DRAM内存产品面临的良率和性能双重困局，已在2024年底决定在改进现有1bnm工艺的同时从头设计新版1bnmDRAM。

据悉该新版12nm级DRAM工艺项目名为D1B-P（IT之家注：P为Prime的简写），专注改进能效和散热表现，这与三星此前的第六代V-NAND改进版制程V6P采用了相同的命名逻辑。

三星在2022年12月、2023年5月先后宣布其12nm级DDR5DRAM完成开发与批量生产，但此代工艺并未在LPDDR5x等关键领域取得成功，三星DS部门甚至因此丢掉了MX部门GalaxyS25系列手机初期内存一供的地位。

此外，现有12nm级DRAM工艺在作出启动D1B-P项目的决定时良率仅有60%左右，远低于业界大规模量产所需的80%~90%。

报道指出三星电子在2024年底为D1B-P项目紧急订购了必需设备，该制程预计将于2025年内量产，最早的推出时间则是今年2~3季度。