金融界2025年1月8日消息，国家知识产权局信息显示，深圳市中科半导体科技有限公司申请一项名为“一种硅衬底氮化镓半导体Wafer及其制备方法和应用”的专利，公开号CN119252732A，申请日期为2024年8月。

专利摘要显示，本发明公开了一种硅衬底氮化镓半导体Wafer及其制备方法和应用，涉及半导体材料技术领域。该硅衬底氮化镓半导体Wafer由硅单晶衬底、碳化硅单晶薄膜阻挡层、超薄多孔氮化钛弱键合解耦合层、氮化铝单晶薄膜成核层模板层及氮化镓单晶薄膜质量提升层依次叠加构成。本发明通过超薄多孔氮化钛弱键合解耦合层中的孔隙大小和孔隙密度调控，从而实现其上氮化铝单晶薄膜成核层模板层的弱键合解耦合的效果调控进而实现硅衬底氮化镓材料的大失配应力调控及无裂纹厚度、材料结晶质量与制备效率提升。本发明的硅衬底氮化镓半导体Wafer可应用于研制生产氮化镓基功率电子器件、微波射频器件及光电子器件。

天眼查资料显示，深圳市中科半导体科技有限公司，成立于2021年，位于深圳市，是一家以从事专业技术服务业为主的企业。企业注册资本2109.55万人民币，实缴资本615.45万人民币。通过天眼查大数据分析，深圳市中科半导体科技有限公司共对外投资了3家企业，专利信息2条，此外企业还拥有行政许可5个。

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