金融界2025年1月7日消息，国家知识产权局信息显示，合肥晶合集成电路股份有限公司取得一项名为“叠层结构以及半导体结构”的专利，授权公告号CN222261053U，申请日期为2024年1月。

专利摘要显示，本公开涉及一种叠层结构以及半导体结构，叠层结构应用于一体化刻蚀工艺，叠层结构包括自下而上依次层叠的导电层、介电层、致密缓冲层以及硬掩模层；其中，致密缓冲层的吸水率小于硅酸乙酯的吸水率。半导体结构包括上述叠层结构，以及设置于叠层结构内的至少一个刻蚀结构；刻蚀结构包括凹槽以及通孔；凹槽贯穿硬掩模层，且至少部分位于致密缓冲层内；通孔位于凹槽的下方，与凹槽连通，并贯穿致密缓冲层与介电层，以暴露出导电层；其中，致密缓冲层的吸水率小于硅酸乙酯的吸水率。本公开能够有效解决叠层结构中因缓冲层吸水导致的一体化刻蚀工艺刻蚀不完全的问题。

天眼查资料显示，合肥晶合集成电路股份有限公司，成立于2015年，位于合肥市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本200613.5157万人民币，实缴资本152959.1001万人民币。通过天眼查大数据分析，合肥晶合集成电路股份有限公司共对外投资了7家企业，参与招投标项目610次，知识产权方面有商标信息41条，专利信息923条，此外企业还拥有行政许可17个。

本文源自：金融界