金融界2024年12月25日消息，国家知识产权局信息显示，上海华力集成电路制造有限公司申请一项名为“一种改善芯轴去除后形成残留物的方法”的专利，公开号CN119170489A，申请日期为2023年6月。

专利摘要显示，本发明提供一种改善芯轴去除后形成残留物的方法，提供TEOS层，TEOS层上形成有相互间隔的芯轴结构，芯轴结构的侧壁依附有侧墙；形成第一SOC层以覆盖TEOS层表面、芯轴结构及其侧墙；形成覆盖侧墙并将芯轴结构顶部暴露的SOC结构；沿SOC结构的侧壁刻蚀去除芯轴结构，依附于被去除的芯轴结构侧壁的侧墙之间形成第一凹槽；SOC结构的表面附着有聚合物；形成第二SOC层以覆盖SOC结构并填充第一凹槽；将第二SOC层进行顶部平坦化至SOC结构的顶部暴露对SOC结构及第二SOC层进行干法回刻至侧墙顶部；去除剩余的SOC结构和剩余的第二SOC层，去除剩余的SOC结构后，被SOC结构覆盖的侧墙之间的区域暴露形成第二凹槽；去除剩余的第二SOC层后第一凹槽被暴露。

本文源自：金融界