由于中国在半导体领域的起步时间太晚，技术也比较落后，正因为如此，为了阻止中国科技产业的快速崛起，美西方就利用芯片技术优势，对中国科技企业展开了一系列的“卡脖”打压，从先进的AI芯片到先进的光刻机设备，各个环节都没有放过。

都知道，芯片的制造工艺十分复杂，有多达几百道工序，而最核心的就是光刻环节，而这个环节必须依赖光刻机设备才可以完成。对于芯片来说，集成的晶体数量越多，性能就越强，而这对于光刻机的要求就越高。举个例子，目前世界上最先进的2nm工艺芯片，依赖EUV光刻机，可以在指甲盖大小的芯片上集成超500亿个晶体，这就相当恐怖了。

聚焦光刻机设备市场，全世界一共只有4家企业能够生产制造光刻机设备，包括荷兰ASML公司，日本尼康和佳能，以及中国上海微电子。而ASML公司在光刻机领域占据了绝对的主导地位，独霸85%以上的市场份额。中国呢？其实早就造出了自己的光刻机，2018年上海微电子就推出了一款90nm光刻机，只是遭到美技术封锁和零部件“卡脖”之后，就一直停留在90nm水平，和美西方的技术差距越拉越大。

这一次，工信部官宣，两款国产光刻机问世，究竟意味着什么呢？美西方还能对中国“卡脖”吗？关于这个问题，我们需要重点看看国产氟化氩光刻机的参数，按照官方数据，这次我国推出的是68nm光刻机，也就是说，时隔6年，在美西方的重重围剿之下，我国光刻机终于突破了90nm技术封锁，有了跨越式进步。

当然，我们需要正视和美西方之间的技术差距，但也不可忽视国产光刻机问世的意义。要知道，一台主流的光刻机设备，需要几万个核心零部件，我国能够在美西方的技术封锁之下实现自研，这就充分证明了中国科技研发的实力。

但需要强调的是，中国光刻机技术和世界顶尖水平至少相差了18年，这次推出的光刻机可能还比不上ASML公司2006年推出的光刻机产品。再加上美、日、欧等西方科技强国组建了光刻机技术联盟，中国科技产业所面临的挑战和压力依然不小。

关于这台65nm光刻机，理论上，我们已经可以实现28nm芯片的自主生产和制造了。而业界专家说过，只要中国能够实现28nm芯片的自给自足，就能解决整个中国市场80%的芯片需求。根据数据显示，2024年前7个月，我国进口的芯片数量为3081亿颗，耗资2120亿美元。而随着国产光刻机的问世，一旦这款光刻机可以正式商用，将从根本上解决我国芯片需求的问题，降低美芯进口。

工信部之所以敢于公布这一成果，就代表我国已经具备独立研发光刻机的实力，且已经成功打破美西方的技术“卡脖”，正在逐步缩小和美西方之间的差距。要知道，荷兰ASML公司超过日本尼康、佳能也就是几年的时间，相信中国光刻机产业链必定也能强势崛起，未来可期！