打脸ASML，中科院突破EUV光刻机关键环节

根据国家知识产权局公布中科院空天信息创新研究院“LPP-EUC光刻光源的9μm和10μm双带多线主泵浦CO2激光系统”的国家专利。

任何科技都是人造的，不是神造的！只要是人造的，中国人通过刻苦攻关，假以时日，也是可以做出来的，甚至做得更好！不要跪舔和迷信西方人种和科技的优越性，不要老是自我贬低，中国人不笨，中国人只要组织好，激励好，爱党爱国，一定行！

有网友表示 是电子受到CO2泵浦光源而受激辐射从能带跃迁到阶带产生光子发出极紫光，保证光刻可以达到5nm,3nm 标准。二氧化碳激光是能量源，打在锡滴上，使锡原子外围电子获得能量向高能级跃迁，跃迁过程中产生极紫外激光。

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