海力士宣布量产全球首款321层1TB TLC NAND,明年上半年开始供应,说采用了高生产效率的“3-Plug”工艺技术,分三次进行通孔工艺流程,随后经过优化的后续工艺将3个通孔进行电气连接。海力士宣称将上一代238层NAND闪存开发平台应用于321层,减少工艺变化,生产效率+59%。
新的321层NAND相比上代,数据传输速度和读取性能分别提高了12%、13%,并且数据读取能效也提高10%以上。
看官方描述,应该是数据中心和PC先上,没提到便携设备。
海力士宣布量产全球首款321层1TB TLC NAND,明年上半年开始供应,说采用了高生产效率的“3-Plug”工艺技术,分三次进行通孔工艺流程,随后经过优化的后续工艺将3个通孔进行电气连接。海力士宣称将上一代238层NAND闪存开发平台应用于321层,减少工艺变化,生产效率+59%。
新的321层NAND相比上代,数据传输速度和读取性能分别提高了12%、13%,并且数据读取能效也提高10%以上。
看官方描述,应该是数据中心和PC先上,没提到便携设备。
NAND颗粒技术吃的就是刻蚀机挖沟能力,三次,成本不低啊