大家都知道，由于起步较晚、发展迟缓，加上“造不如买”思潮的影响，我们半导体产业整体相对落后，尤其是芯片制造主要集中在中低端，先进芯片制造依赖外部。

那么，我们的芯片制造水平究竟落后多少呢？对此，台积电、ASML方面都曾发表自己的看法。近日，日本机构宣布了调查结果，张忠谋也没料到，中国芯进步太快了！

ASML作为全球光刻机巨头，已经垄断了90%左右的光刻机市场份额，还独家生产高端EUV光刻机。光刻机决定着芯片制造的先进程度，因此ASML也有一定话语权。

对于我们大陆的芯片制造技术水平，ASML新任首席执行官富凯发表了自己的观点，他认大陆芯片技术落后美方10年，不过全世界仍然很需要大陆生产的“传统芯片”。

富凯之所以这样说，恐怕也有自己的原因，那就是想继续向中企出货中低端光刻机。

近几年，为了阻挠我们大陆芯片产业发展，美方盯上了ASML的光刻机，之前是限制高端EUV光刻机出货，去年又扩大限制浸没式DUV，未来说不定还会扩大范围。

如今，我们芯片发展以成熟制程为主，芯片产能提升速度非常快，出口数量和金额不断增长。这也引起了美方的关注，于是美方和欧盟开始调查，极有可能进行干涉。

于是就有了ASML的发声，因为富凯观点并不客观，我们芯片技术不可能落后10年。

对于我们大陆的芯片制造水平，比较有发言权的恐怕应该是台积电，毕竟台积电是全球晶圆代工巨头，经常会了解全球各地的芯片制造水平，以为未来竞争提供参考。

之前，台积电创始人张忠谋就公开表示，大陆的芯片制造水平落后台积电5年以上。

张忠谋的观点应该算是比较客观的，因为台积电前两年就实现了5nm量产，今年苹果搭载的3nm芯片也已上市，而我们中芯国际公开的先进制程还是14nm和12nm。

当然，并不是我们不努力，这也是有原因的。近年来，中芯国际芯片制造技术的进步有目共睹，尤其是梁孟松加入后，仅用三年多时间就实现了五个世代的技术开发。

从28nm到7nm，一般公司需要十年以上时间，而梁博士带领团队三年多就完成了。

然而，由于西方国家技术封锁，尤其是美方实施芯片限制，阻挠我们获得高端EUV光刻机，所以我们迟迟不能实现7nm量产。不然的话，我们的差距恐怕就会更小了。

关于我们的芯片制造水平，近日有新消息传来，日本专业的半导体分析机构经过调查研究后表示，大陆半导体实力进步简直太快了，已经达到仅落后台积电三年水平。

日本机构对比了华为旗舰手机处理器麒麟9000和麒麟9010，这两款芯片都是华为旗下海思半导体设计，但麒麟9000是2021年被制裁以前台积电5nm工艺代工的。

而麒麟9010是今年华为手机上市搭载的，完全国内生产，已经被验证为7nm工艺。

日本机构在对比后发现，这两示麒麟芯片的性能几乎相同，虽然双方在良率上会有落差，但从出货芯片的性能来看，大陆芯片制造技术实力已经仅落后于台积电三年。

日本报告显示，华为Pura 70 Pro共搭载了37个主要半导体器件，其中海思半导体设计了14个，其他中国厂商设计18个，也就是说中国制造的半导体已经高达86%。

由此可以看出，我们芯片不只是成熟制程产能提升，先进半导体也实现了重点突破。

该日本机构负责人清水洋治表示，美方芯片限制仅稍微拖慢了大陆芯片的进步，但却刺激了大陆半导体产业的发展脚步，实际上中国芯的进步反而比以前速度更快了。

张忠谋当时发声时，恐怕也没有料到，大陆芯片进步会这么快。因此，张忠谋后来才会突然表态，支持美方对华实施芯片限制，妄图以此来延缓我们芯片发展的速度。

不过，这根本就是徒劳，因为我们已彻底觉醒，会坚定不移地实现国产芯片自主化。