工信部公布了重大技术工业设备推广目录： 氟化氩光刻机，光源193纳米，分辨率已经小于等于65nm，我们自己的DUV光刻机终于来了期待几年以后看到EUV的好消息 ​​​。 非浸润式的duv，这个目录是推广的产品，说明产品已经检验过稳定性很好的了，从无到有，从有到好，一步步在实现。现在所有的芯片都是等效。 之后还要拼封装技术，台积电和纯国产技术从鸿沟到现在的差距3年左右，除了还没有跑通全国产7nm已经是狠狠的打美国的脸了。 麒麟使用duv多重曝光，缺点就是良率低成本，asml大部分duv并不限制但先进制程受到限制，国内牺牲点良率可以做到5nm，再往上不行了，smic应该突破了。 当然差距肯定是有的，国际大厂的手机soc好像是19年20年左右时进入7nm节点的，而我们现在才有实现≤8nm的光源，等跑通产线正式形成生产力还要好几年，还是任重而道远啊。