杨树，女，1990年6月5日生，安徽合肥人，中国科学技术大学国家示范性微电子学院教授、博士生导师，浙江大学电力电子技术研究所副所长。 杨树于2010年获复旦大学微电子学学士学位；2014年获香港科技大学电子计算机工程博士学位（导师：IEEE Fellow， Kevin J. Chen教授）；2014年至2016年分别于香港科技大学担任客座助理教授、英国剑桥大学任博士后；2016年任浙江大学电气工程学院研究员、博士生导师，浙江大学电力电子技术研究所副所长。 主要从事宽禁带半导体电力电子器件的设计、微纳制造、分析表征以及可靠性研究。在氮化镓MIS器件界面优化、硅基氮化镓器件动态特性退化机制、基于同质外延的垂直型氮化镓电力电子器件等方向开展了一系列工作。自主研制出1kV/1.2mΩ·cm2单极型和1.8kV/0.5mΩ·cm2双极型垂直氮化镓功率器件，克服了困扰传统平面型氮化镓器件的动态性能退化问题。在本领域权威期刊IEEE EDL、IEEE T-ED、IEEE T-PEL、IEEE JESTPE，电子器件和功率半导体顶级会议IEDM、ISPSD等共发表70余篇论文（其中SCI论文30余篇），其中4篇论文入选ESI高被引论文，1篇论文被德国Wiley-VCH期刊PSSA选为封面，受邀在IWN’2012、RFIT’2015、ISCS’2016、COMMAD’2018、APWS’2019、ECPE Workshop’2020等会议上做特邀报告，编写英文专著章节2章。作为第一/通讯作者的研究成果6次被Compound Semiconductor和Semiconductor Today国际产业杂志专题报道。国家重点研发计划重点专项课题负责人，主持国家自然科学基金面上项目和青年项目、教育部联合基金、浙江省杰出青年科学基金、台达电力电子科教基金等项目。首批Hong Kong PhD Fellowship获奖者之一；2015年获得香港科技大学PhD Research Excellence Award（每年1~3位获奖者）；2016年入选首届CASA第三代半导体卓越创新青年；2018年获得IEEE ISPSD Charitat Young Researcher Award（每年1~2位获奖者，是该奖项创办30年以来中国大陆首位获奖者）；2020年获得中达青年学者奖、中国电源学会优秀青年奖。