众所周知，美西方普遍认为，中国造不出尖端的光刻机。就连荷兰ASML公司的CEO也曾嚣张的表态，就算将EUV光刻机的图纸公开，中国也造不出来。面对如此赤裸裸的挑衅和轻视，我国并没有多说半句废话，在过去这些年，举国之力，就是希望可以加快中国半导体产业的进步和发展。

正所谓“人定胜天”，通过中国科技产业的共同努力，工信部传来了好消息，中国已经具备生产先进制程光刻机的能力了。具体地，目前我国已经拥有了自主研发的高级光刻机，工信部提到了两款国产DUV光刻机，分别是氟化氪（KrF）光刻机以及氟化氩（ArF）光刻机。

那么问题来了，这两款国产光刻机能够达到多少制程呢？根据工信部透露，氟化氪（KrF）光刻机的分辨率≤110nm，套刻精度≤25nm。而氟化氩（ArF）光刻机的分辨率则≤65nm，套刻精度≤8nm。怎么理解“分辨率”和“套刻精度”呢？

从理论上来说，分辨率和制程的关系在最理想状态下，可以达到“制程=1/4分辨率”的水平。以氟化氩（ArF）光刻机来说，其分辨率≤65nm，也就是说，它的制程最高可以达到16nm。而套刻值得就是多次曝光的误差。也就是说，咱们目前光刻机完全可以做到28nm，实现成熟芯片的自给自足。

别看28nm距离目前半导体产业尖端制程的3nm/2nm/1nm还有很大的差距，但国产DUV光刻机研制成功，就已经证明了，中国具备自主研发光刻机的实力，这也彻底打破了美西方在尖端科技领域的垄断。要知道，无论是荷兰ASML公司也好，日韩半导体巨头也好，都没法独立完成光刻机的研发和制造，就冲这一点，中国的科研实力就不容小觑。

有意思的是，工信部为何现在官宣这个好消息呢？可能很多小伙伴也察觉到了，这是对荷兰ASML公司宣布停止维护已售光刻机后的一次强硬反击。而不止荷兰，美、日、韩等半导体相关企业也受到了牵连。

从多家老美光刻机相关部件公司的财报来看，中国市场至关重要，来自中国市场的营收占据其总营收的30%-40%。日、韩芯片企业也因为不能继续向华供应芯片、光刻机设备等，业绩出现了暴跌，很显然，美“盟友”都开始坐不住了！

毫无疑问，拜登所谓的“小院高墙”打压策略并未能将华为等中国科技企业困住，反而激发了中国科技企业奋发图强的心，斗志昂扬，势不可挡。不得不承认，在美的激励下，中国科技产业在短短几年时间里快速腾飞，取得了惊人的进步和突破，这也应了一句俗话，塞翁失马焉知非福？

面对美西方的叫嚣和嘲讽，中国科技产业没有半句废话，用技术说话。很显然，科技霸权时代已经成为过去了，中国科技产业的崛起是必然，让我们拭目以待吧！