中国如果开发自己的EUV光刻机是比较困难的，光刻机具有数百万个独立组件、光学工艺和紫外线灯对工艺精度的要求非常高。
ASML制造一台EUV光刻机的成本约为5700万至7500万美元，然后在市场上以2亿美元的价格出售
如果要制造一台能够包含所有这些组件的EUV光刻机机器设备则yaoq花费近35亿美元。
但是相反，中国有不同的计划。中国计划扩大规模，并创建一个占地30000多平米的巨型EUV光刻厂。
这么做的优势是：由于光刻厂规模巨大，不需要极端精密的紫外线灯。而且中国国内拥有这种大型光刻设备所需的紫外线灯的制造能力。光学工艺不再需要那么敏感了，中国国内就可以大规模生产所需的光学部件。微精密工程不是中国的优势，但大规模制造是中国最大的资产，EUV工厂是中国最大的优势因此中国在雄安投产建造了一个大型EUV光刻工厂，一次输出的能量可以生产5000-6000亿SoC，即使效率达到20%，也意味着1000-1200亿SoC的5纳米甚至3纳米芯片，相当300台ASML的EUV光刻机。
光刻厂投资规模估计为近8000亿元人民币（1150亿美元）的固定投入，加上每年近1800亿元人民币（254亿美元）的补贴。
然而，它仍然比花35亿美元买一台EUV机器要划算。
而且如果中国能解决这个问题，无形的好处包括未来10年经济高达25万亿元人民币（3万亿美元）的增长潜力。
而这仅仅是中国光刻机战略的A计划。
B计划是从数字转向完全模拟中国开发了世界上第一个超级全模拟光电子芯片
来自清华大学的中国研究人员开发了一种全模拟光电子芯片，可以比现有芯片更快、更高效地处理计算机视觉任务，这是世界上首款此类芯片。
此外，还有C计划、D计划和E计划，但目前并不成熟，细节也不方便透露。
总之中国在高功率芯片领域尽快结束对西方技术的依赖上有着极大的决心，而如今的中国一旦下决心做某事，距离突破就不远了。
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