一直以来，台积电创始人张忠谋声称大陆和台积电的芯片水平存在十年以上的差距，荷兰光刻机制造商ASML也宣称在芯片制造技术与他们存在15年的差距。

这样的言论，是出自张忠谋的傲慢和短视。随着国内突破13.5nm极紫外光源技术，让我们看到了中国半导体产业界的蓬勃发展，也让张忠谋面临着被打脸的局面。

极紫外光刻技术作为制造高端芯片不可或缺的一环，但一直被荷兰公司ASML长期垄断，更关键的是，它连销售设备的权利都要看美国脸色。

不过哈工大此次的突破，意味着中国有了打造自家“雕刻刀”的底气，这不仅是技术上的突破，更是战略上的进击。

至于张忠谋，之所以敢于发表那样的言论，很大程度上是因为他对市场变化的迟钝。

人工智能、5G、物联网等新兴技术的兴起，对芯片的性能、功耗、集成度等提出了更高的要求。全球芯片供应链的格局也在发生深刻变化。在这种情况下，大陆芯片产业凭借其庞大的市场需求、完善的产业配套以及政府的大力支持，迅速崛起。

然而张忠谋却未能及时洞察这些变化，依然沉浸在台积电过去的辉煌成就中，对大陆芯片产业的发展嗤之以鼻。

从商业角度来看，张忠谋的言论也缺乏战略眼光。台积电作为一家全球知名的芯片代工企业，本应积极拓展与大陆的合作，共同推动全球芯片产业的发展。然而，张忠谋的不当言论，不仅伤害了大陆芯片产业从业者的感情，也为台积电未来在大陆市场的发展埋下了隐患。

事实上，早在哈工大突破之前，中国的科研机构和企业在芯片制造领域就已经取得了不少成果。这些成果并不是“单线研发”，而是像搭积木一样，铺垫整个技术体系。这种“国家支持+企业实践+高校探索”的联动模式，已经成了中国芯片技术崛起的制胜法宝。

国内在极紫外光刻光源技术上的实力，为后续的技术研发和产业应用奠定了坚实基础。与ASML采用的激光等离子体方案不同，哈工大的技术以“放电等离子体”为基础，在能量转换效率、造价和体积等方面表现出显著优势。

关键是，能为国内EUV光刻机研发提供切实可行的路径，外媒报道这一消息，并认为中国可能正逐步填补EUV光刻机技术的空白。

当然我们也要清醒地认识到，光源技术的突破只是国产EUV光刻机研发的“第一块拼图”。EUV光刻机作为全球顶级半导体设备，其复杂程度远超一般的工业制造。

除了极紫外光源，EUV光刻机还依赖于其他核心组件，比如微缩投影光学系统和双工件台技术，这些环节中的任何一项都代表着人类工业制造的极限。

然而从目前的情况来看，中国已经具备了这样的实力和潜力。在微缩投影光学系统方面，长春光机所在高精度弧形反射镜和EUV多层膜技术上取得了重要突破。在双工件台技术方面，上海微电子与多家高校已经在相关领域取得专利成果，逐步缩小了与国际领先水平的差距。此外，清华大学和微电子所在掩膜光学系统的研发上也成果频出，为国产EUV光刻机提供了更完整的技术支持。

除了技术上的突破，中国还在光刻材料领域实现了自主化。华中科技大学成功攻克了光刻胶生产技术，这一材料是光刻工艺中不可或缺的一环，成功打破了长期以来被日本企业垄断的局面。

所以回过头来看，张忠谋的言论之所以被打脸，是因为他低估了中国人的创新能力和决心。欧美的封锁和制裁，不仅没有阻止我们的科技进步，反而成为了中国技术突破的“催化剂”。

最后我想说的是，科技竞争从来都不是零和博弈，而是合作共赢。而张忠谋的言论和态度，是对这一理念的背离和扭曲。

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