AI大势下，存储原厂针对HBM的竞争日渐白热化，HBM3E风头正劲，今年有望成为HBM市场主流。与此同时，原厂也在积极布局下一代HBM4技术。

今年4月SK海力士已经宣布将携手台积电共同开发HBM4，预计2026年投产。据悉，两家公司将首先致力于针对搭载于HBM封装内最底层的基础裸片（Base Die）进行性能改善。HBM是将多个DRAM裸片（Core Die）堆叠在基础裸片上，并通过TSV技术进行垂直连接而成。

三星方面，媒体报道该公司已经成立了新的“HBM开发团队”，将专注HBM3、HBM3E和下一代HBM4技术的相关开发工作，以提高三星在HBM市场的竞争力。近期，韩媒报道，三星计划使用4nm先进制程工艺生产HBM4 逻辑裸晶（Logic Die）。

此前业界猜测三星会用7~8nm制程生产HBM4逻辑裸晶，最新报道显示三星“激进”选择了更先进的制程，这也侧面反映出当前HBM火热发展的态势。

全球市场研究机构TrendForce集邦咨询今年5月调查显示，受惠于HBM销售单价较传统型DRAM（Conventional DRAM）高出数倍，相较DDR5价差大约五倍，加上AI芯片相关产品迭代也促使HBM单机搭载容量扩大，推动2023~2025年间HBM之于DRAM产能及产值占比均大幅向上。

产能方面，2023~2024年HBM占DRAM总产能分别是2%及5%，至2025年占比预估将超过10%。产值方面，2024年起HBM之于DRAM总产值预估可逾20%，至2025年占比有机会逾三成。

针对HBM4的发展，此前集邦咨询则预估，HBM4预计2026年推出，或将转向客制化。各买方开始启动客制化要求，除了HBM可能不再仅是排列在SoC主芯片旁边，亦有部分讨论转向堆栈在SoC主芯片之上。虽然所有选项仍在讨论可行性中，并尚未定案，但TrendForce集邦咨询认为，未来HBM产业将转为更客制化的角度发展，相比其他DRAM产品，在定价及设计上，更加摆脱Commodity DRAM的框架，呈现特定化的生产。