自华为等中企在通讯、半导体这些“根”技术方面反超西方后，为巩固其“科技灯塔”的地位，老美铁了心要从底层方面封锁中国科技，而芯片也成了老美遏制中企发展的技术壁垒。

芯片的生产要经过三个环节，设计、制造和封测。设计方面，华为海思半导体在安卓阵营的能力甚至盖过了高通。封测方面，我国已经做到了世界第三。唯独制造技术一直处于全球“跟随者”的位置，而制造环节限制我们的就是用于制造芯片的关键设备光刻机。

俗话说得好“工欲善其事，必先利其器”，当国人开始操心国产芯片的时候，一些科技企业及科研机构早就将重点放在了攻克光刻机。比如中科院第一时间就宣布将光刻机列入科研清单，并集全院力量攻克光刻机难题，尝到剔骨之痛的华为更是亲自下场攻坚芯片制造问题，如今，国内芯片行业可谓是好消息不断！

光刻机取得新进展

据报道，国内首台超分辨率光刻机已通过验收并投入使用，这种光刻机由中科院光电技术研究所研制，采用表面等离子超衍射光刻，通过波长较短的等离子体，在涂抹光刻胶的晶圆上进行光刻，单次曝光即可达到22nm、多次曝光可制造出10nm芯片。

与ASML的EUV光刻机相比，虽然还有许多需要完善的地方，比如无法制作非常复杂的图形，无法大规模量产，不过至少能满足特殊行业对先进工艺的需求，同时为后续的量产、制作复杂图形提供技术基础。

从半导体设备的角度来看，国产超分辨率光刻机采用的是更先进的路线，该路线和美国Zyvex公司的电子束光刻机是一个方向，据悉这家企业的光刻机已经突破0.7nm芯片的制造难题，主要应用于量子芯片领域。

ASML曾表示，下一代High-NA EUV光刻机可能是传统光刻机的“尽头”。电子束光刻机可能成为延续EUV光刻机的关键设备，尤其当我国已在光子芯片、量子芯片等下一代半导体领域展开布局，国产超分辨率光刻机至少可以为我国“换道超车”提供设备基础。

封装技术迎新进展

芯片制造任重而道远，ASML也是发展几十年才有现在的市场地位，我们想要在半导体领域追赶差距，不能只聚焦于芯片制造环节，尤其当ASML光刻机精度、摩尔定律发展放缓，封装技术已经成为未来芯片发展的关键。

在封装领域，我国有很高的话语权，比如上海微电子的封测光刻机，在国内市场占据了80%左右的份额，全球市场份额也在40%左右，还有大量的技术专利支撑，而长电科技（JECT）更是成了全球封装市场营收排名第三的中国企业。

近期，长电科技宣布已经实现4nm工艺手机芯片的封装，这种技术可以将CPU、GPU、射频芯片集成到一起，该方式叫多维异构封装，不同于传统的芯片堆叠技术，这种封装模式可以通过导入中阶层及多维结合，实现更高密度的芯片封装，该技术已经达到了国际先进水平。

为能遏制我国芯片产业的发展，老美多次升级禁令，不仅扩大ASML的出货范围，还将长江存储等国内多家芯片企业列入“实体清单”。在美国对华芯片层层加码的大环境下，中国企业及科研机构能在光刻机、封装技术方面所取得新进展，具有非常特殊的意义。

我们也应该给予这些企业一些耐心和鼓励，相信用不了几年，国产芯片必然能像5G那样领跑世界。同意的请点赞，同时也转发给志同道合的人！