台积电在推出 EUV 设备的量产方面领先于英特尔，但在更先进的高 NA EUV 细分市场，该公司落后于美国竞争对手。据 DigiTimes 和联合报报道，英特尔已经在使用 ASML 的 High-NA EUV 机器进行研发，而台积电本月才会开始安装第一台此类扫描仪。
图片来源： asml.com
第一个专为研发应用打造的超硬紫外和高数值孔径 （High-NA） ASML Twinscan EXE：5000 设施将安装在台积电位于台湾新竹的新竹工厂。9 月，全球最大的半导体承包商将开始接收机器组件，之后将需要几个月的时间来组装和校准设备，然后才能测试下一代半导体技术。
台积电先进的 N2（2 类纳米）和 A16（1.6 纳米类）工艺将仅在数值孔径为 0.33 的低 EUV 设备上运行。High-NA EUV 扫描仪（数值孔径 0.55）将于大约 14 年用于 A14 工艺技术（1.4 nm 级），尽管该公司尚未就此事发表官方声明。但它的实施会给制造商和开发商带来额外的困难，因此台积电并不急于部署此类扫描仪。
反对新一代机器的另一个论点是它们的价格，根据台积电负责新工艺开发的 Kevin Zhang 的说法，他不喜欢价格而不是性能。每台 High-NA 机器的成本约为 4 亿美元，尽管该公司总裁 C.C. Wei 设法协商了一次购买几台设备近 20% 的折扣。鉴于台积电是使用 EUV 光刻技术的领先制造商，并且拥有 ASML 全球 65% 的 EUV 产能，这家荷兰制造商肯定倾向于与该工厂进行交易，该工厂是其最大的客户之一。
