3月18日，英伟达召开了年度大会，在这个大会上英伟达掌门人黄仁勋发布了两款重磅产品，一款是B100芯片，另一款是B200芯片。这两款芯片被誉为史上最强AI芯片，性能远超A100、H100芯片。

在这里要隆重说一说B200芯片，这款芯片采用了台积电4nm工艺制程，有2080亿个晶体管，人工智能算力达到20petaflops。并且这款芯片还配备了192GB HBM3e内存，能给用户提供8TB/s的宽带。综合来看，B200的FP16运算能力达到4.52 petaflops，这在AI芯片领域相当不错。

可能这些数据看起来很生硬，那我们拿华为最强的AI芯片昇腾910B进行比较，你就会知道B200芯片有多强了。

华为昇腾910B采用了7nm工艺制程晶体管数量为495个，内存为64GB HBM3e，FP16运算能力为0.32petaflops。

这样比较起来，B200芯片的晶体管数量是昇腾910B的4.6倍，性能是14倍，内存是3倍，双方的差距不可谓不大。

其实这也很好理解，英伟达是AI芯片市场的引领者，旗下的100系列、800系列芯片在市场具有广泛的市场认可度，即便是昇腾910B也比不上这两个系列的芯片，更不要说“史上最强AI芯片”的B200了。

当然了，英伟达在AI芯片领域实现技术代差，这并不代表我国在芯片领域就无法追赶上来。而在最近，“中国芯”也有三项技术突破，这让外界普遍看好我国芯片产业的发展。

第一项技术突破是我国香港两所大学实现微波光子芯片突破。据悉，香港城市大学和香港中文大学科研人员开发了一款微波光子芯片，这款芯片采用了铌酸锂微波光子技术，在这种技术下，光子芯片具有更高额微型化和保真度，兼有低延迟的功效。有了这项技术，在理论上我国的光子芯片具备比传统硅基芯片快1000倍的速度，这对我国光子芯片的发展有着至关重要的作用。

第二项技术突破是上海光电所实现光储存突破。据悉，在上海理工大学的辅助下，上海光电所已经实现超大容量、超分辨三维光存储技术突破。在这项技术的应用下，存储光盘可以做到100层记录，容量可以达到Pb级别。和传统的存储光盘相比，这种技术的存储光盘具有低成本、节能、安全性高、寿命长、容量大的优势，因此这种新技术的光盘又被科研工作者称之为“超级光盘”。

第三项技术和华为有关，据悉，华为在2月下旬申请了一项芯片专利，这项专利名为“光芯片及制备方法、通信设备”。这项专利的领域为光通信技术领域，可以解决光芯片的光波导在制备过程中易断裂的难题。虽然这项技术还未商用，但随着芯片工艺制程进入摩尔定律的临界点，光芯片必然会成为芯片市场的发展方向。届时，华为的这项技术必然会成为我国在光芯片市场竞争的利器。

写在最后

看到这里，想必大家对我国芯片技术的积累有了比较深刻的认识。诚然，在AI芯片市场英伟达已经是遥遥领先，和其他厂商已经实现代差。但英伟达也没有料到，在光子芯片、存储芯片领域，我国也实现多项技术突破，这表明我国芯片整体实力依然很强大，和美方相差不大。正因为如此，有外媒才表示:我国和美方的芯片差距越来越小了。