今年以来，Intel负面新闻缠身，上半年净亏损达到19.9亿美元，连连亏损的它不得不再次祭出裁员大招，预计将裁员1.5万人，占Intel员工总数的15%，凸显出面对市场的不利境况，不得不持续瘦身控成本，面对如此窘境，它全力寄望于全新工艺Intel 18A能让它翻身。

Intel 18A被认为相当于台积电的1.8纳米工艺，至于实际是多少如今已很难说得清楚，之前的Intel 4工艺为它原来的7纳米工艺，可以说如今Intel的新工艺命名同样是玩数字游戏，真实的性能需要专家级人士才能说得清楚。

事实上芯片制造工艺从28纳米之后，就不再是以晶体管栅极间隙来命名了，从那之后的工艺都可以说是等效工艺，命名规则与此前大有不同，在台积电连连发布10纳米、7纳米工艺之后，Intel就屡屡指出这些工艺不如Intel的14纳米工艺，高通也曾在内部探讨的时候指出台积电的7纳米工艺是数字游戏，不过对于芯片行业来说，新的工艺出现有利于营销，于是大家还是默认了。

Intel从2014年量产14纳米工艺之后，芯片工艺研发就一直在延迟中，10纳米工艺延迟到2019年，7纳米工艺又延迟了，在芯片工艺连连延迟之后，Intel新任CEO基辛格就动起了芯片工艺新命名规则的心思，由此将7纳米工艺命名为Intel 4工艺，以等效于台积电的4纳米。

Intel 18A工艺被Intel视为反超台积电的关键工艺节点，而美国也希望自己能在芯片制造工艺方面再次取得技术领先优势，给予Intel有力的支持，在芯片补贴方面给予Intel超过300亿美元，又促使ASML将今年量产的10台2纳米EUV光刻机优先将其中6台交给Intel，借此帮助Intel推进先进工艺研发。

今年8月Intel宣布Intel 18A工艺芯片已经成功上电运行，顺利启动操作系统，证明它的18A工艺推进顺利，预计明年初18A工艺就能实现规模量产，生产的服务器芯片将会交付给微软等企业，而台积电预计明年才能量产2纳米工艺，Intel实现工艺反超就能成为现实。

为了确保18A工艺的顺利推进，Intel下了重本，舍弃了原来的Intel 20A工艺，全力投入研发18A工艺，可以说Intel为了赶超台积电可以说是铆足了劲。

为了真正实现先进工艺的更强性能，Intel A18也引入了GAA技术开发出RibbonFET 晶体管，目前引入GAA技术的只有三星，但是三星激进采用GAA技术的3纳米面临了巨大的麻烦--良率据称低于20%，而台积电采用FinFET技术的3纳米工艺去年量产A17处理器就达到55%，因此三星的3纳米工艺无客户采用，如此Intel如果能大幅提升采用GAA技术的18A工艺的良率，确实也在芯片工艺方面实现对台积电的反超。

如今的Intel可谓背水一战，所有希望都寄托于18A工艺了，此前Intel曾同时推进芯片工艺研发和转型芯片代工服务，但是芯片工艺研发如上述无力同时推进Intel 18A和Intel 20A工艺，芯片代工则在推进2年后产生170多亿美元的亏损，今年二季度的业绩显示如果去除芯片代工的亏损其实仍然是盈利的，为此Intel已计划拆分芯片代工业务，可以说诸多计划中如今剩下的仅有Intel 18A工艺了，如此Intel 18A工艺更是必须成功的最后希望。

对于台积电来说，开发2纳米也很可能面临麻烦，因为目前以第一代EUV光刻机、FinFET技术生产3纳米就导致性能偏低，生产的A17处理器良率低至55%而性能仅提升10%，第二代3纳米工艺N3E良率据称提升到80%，生产的A18处理器较A17提升15左右，与5纳米良率九成、提升三成性能差距甚远。

如此情况下，继续用FinFET技术开发2纳米可能性已不大，用第一代EUV光刻机开发2纳米也困难，为此台积电也如Intel一样不断改良3纳米，用2纳米EUV光刻机生产2纳米的话，台积电明年才能获得2纳米EUV光刻机，而GAA技术难度又太高，在2纳米工艺方面同时引入诸多新技术能否如期在明年量产存在很大问题，那样Intel在明年赶超台积电确实有望成真。