合肥长鑫国产存储DDR4-5进入国产手机，打破韩美垄断。合肥长鑫存储技术有限公司（简称“长鑫存储”）确实在国产存储器领域取得了重要进展，特别是在DDR4和LPDDR5 DRAM存储器的研发与生产上。以下是一些关键信息：
• 技术突破与产品上市：长鑫存储在2018年研发出国内首个8Gbit DDR4芯片，并在2019年宣布量产8Gb颗粒的国产DDR4内存。2020年，长鑫存储推出了首个消费级DRAM芯片产品——光威弈系列Pro，打破了海外半导体巨头的长期垄断局面。
• LPDDR5产品推出：2023年11月28日，长鑫存储正式推出了LPDDR5系列产品，包括12Gb的LPDDR5颗粒，POP封装的12GB LPDDR5芯片及DSC封装的6GB LPDDR5芯片。这标志着中国存储厂商加入到DDR5竞争战局中，填补了国产大容量LPDDR5的产品空白。
• 技术参数：与上一代LPDDR4X相比，长鑫存储LPDDR5单一颗粒的容量和速率均提升50%，分别达到12Gb和6400Mbps，同时功耗降低30%。
• 市场应用：长鑫存储的LPDDR5产品目前已在国内主流手机厂商小米、传音等品牌机型上完成验证，并计划全面加快市场化落地速度。
• 产能提升：长鑫存储在合肥的新工厂已经开始量产采用18.5nm工艺的DRAM芯片，初始的月产能已达到10万片晶圆，并计划到2024年底每月产能增加4万片晶圆。
• 融资与投资：长鑫存储母公司睿力集成电路有限公司获得了来自国家半导体大基金二期、安徽国资、兆易创新、小米长江产业基金等机构和企业的156亿元融资，显示了国家对长鑫存储的认可和支持。综上所述，合肥长鑫存储的技术进步和产品上市确实在一定程度上打破了韩国和美国在存储器领域的垄断，为中国半导体产业的发展提供了新的动力。
