工信部近日公布重大技术装备推广应用指导目录，其中两台曝光机被外界解读为我国已取得重大技术突破，可生产8奈米及以下晶片的说法甚嚣尘上。氟化氪光刻机其实就是老式的248nm光源的KrF光刻机，分辨率为≤110nm，套刻精度≤25nm；氟化氩光刻机则是193nm光源的ArF光刻机（也被称为DUV光刻机），但披露的这款依然是干式DUV光刻机，而非更先进的浸没式DUV光刻机（也被称为ArFi光刻机）。#光刻机概念走强，多股涨停#

光刻机的分辨率简单来说，就是它能在芯片上刻出多细的线路。分辨率越高，能刻的线路越细，芯片的性能就越强，能耗也更低。你可以把光刻机想象成一个“超级照相机”，它用光来在芯片表面“拍”出电路图样。而分辨率就是这个“照相机”能拍多清晰、多小的细节。分辨率高，光能“刻”出来的电路就特别细小，分辨率低，刻出来的电路就比较粗。

禅兄举个例子说明：

假如你在白纸上要画一条线，分辨率高就像用一支非常细的笔，可以画出极其精细的线条；而分辨率低，就像用一支粗大的记号笔，线条很粗。如果是高端的芯片制造，比如用于手机处理器、电动汽车智能驾驶芯片或AI服务器的芯片，通常需要非常高的分辨率，才能在芯片上放下更多的电路和功能。而低端的芯片，像普通家电用的芯片，分辨率就不用特别高。

光刻机的分辨率受光的波长限制。

全球最先进的光刻机使用的是极紫外光刻（EUV），它的分辨率可以达到7纳米甚至更小，这种技术能制造出最尖端的芯片（高端智能手机机普遍使用高通、联发科的手机芯片）。

较早期的深紫外光刻（DUV），分辨率则大概在10-28纳米，适合制造性能要求稍低的芯片。

工信部公布的氟化氩光刻机是65nm的分辨率，那么单次曝光能够达到的工艺制程节点大概就在65nm左右。

“套刻精度”指的是“每层之间的对准精度”，也就是芯片“一层图案曝光完成后，再在上面继续下一层曝光”制造过程的对准精度，并不是指能够制造的芯片的制程节点。

“套刻8nm”可以理解为在制造非常小、复杂的芯片时，必须一层层精确对齐，就像你做一个多层的三明治，每一层的食材都要摆得整整齐齐，不能错位，否则不仅影响卖相，三明治还可能散掉。在8nm工艺中，这种对齐需要达到纳米级别（极其微小）的精度。

将“套刻≤ 8nm”认为可生产8纳米芯片，在自嗨啊！要达到8纳米还早，新公布的DUV曝光机应该落后ASML至少10年，想要往浸没式DUV曝光机进军，技术难题还多著，若要追赶ASML，必须一步一步来，切不可盲目乐观。

悟空师徒四人西天取经，一路降妖除魔，升级打怪，历经81难，方才取得真经！靠的是合作。取得光刻机的真经又是什么？合作！

荷兰光刻机制造商ASML的EUV光刻机，其核心【光源技术】来自于美国Cymer公司。代表光刻机最高端技术的【EUV光刻机】，里面有10万多个零部件，由全球超过【5000家供应商】供应。在整个光刻机中，荷兰腔体占20%，英国真空占12%，美国光源占27%，德国蔡司光学系统占14%，日本的材料占27%。所以，ASML的EUV光刻机，其实就是荷兰、英国、美国、德国、日本等厂商科技合作的产物。

ASML半导体光刻机产品参数如下所示：

我国最新款的“氟化氩DUV曝光机”与荷兰ASML（Advanced Semiconductor Materials Lithography）的产品作比较。ASML在2015年推出了“TWINSCAN XT：1460K曝光机”其光源是193纳米，分辨率≤65nm，但套刻精度为≤5nm（TWINSCAN XT:1460K 是一款高生产率干式 ArF 光刻工具，具有出色的叠加和成像性能，可用于 65 nm 分辨率的批量生产）。这也意味着我国“DUV曝光机”性能比ASML在9年前推出的“XT：1460K曝光机”要低。

我国最新的氟化氪光刻机是248nm光源，分辨率为≤110nm，套刻精度≤25nm。TWINSCAN XT:1060K 是 2000年左右ASML 推出的最先进的 KrF（氟化氪）激光“干”光刻系统。这款光刻机是248nm光源，分辨率为≤80nm。

禅兄认为，我国的光刻机技术虽然取得了突破，但要达到国际先进水平，仍需持续的技术创新和研发投入。这些成就是中国科技自立自强战略的一部分，也是中国在高科技领域追求自主可控的重要步骤。

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