通常我们希望米勒平台的时间短，但往往很容易出现震荡，发热更严重的情况。

对高压管子来说，米勒平台时间短，开通时dv/dt就会大。

对低压管子来说GS电容大，但是栅极电阻会比较小，米勒平台时间也不能太长。

那高压管子和低压管子的平台时间要多长呢？

高压管子

高压管子开通时dv/dt大，开关波形的沿就会越陡，如果沿越陡，谐波分量就越多；如果沿越缓，谐波分量就越少，EMC更加容易通过。

在高频载波的话，如果米勒平台时间在300ns~1us，那么1us可能发热会大一些，不过具体还是要看封装还有ID电流的大小，如果MOSFET只是用在电源上电和断电，在低频的情况下平台时间长一点也没关系。

低压管子

低压管子的话就可以更小一点，大概90ns~300ns，但具体的时间要具体情况去评估。

关于高压管子和低压管子，需要看Vgs波形是否震荡为准。