你知道，MOS管的导通电阻和什么相关吗？

很多人首先会想到的是Vgs驱动电压。

但真的就这么简单吗？

我们经常会在数据手册中看到这一行参数，MOS管的导通电阻除了和Vgs有关，原来还和Id电流有关。

参数手册写着3.5Ωat10V，6Ω@4.5V，是什么意思？

其实就是当Vgs驱动电压为10V的时候，导通电阻的值是3.5Ω。

当Vgs驱动电压为4.5V时，导通电阻的值就是6Ω。

我们可以看到在这里的ID电流，都在0.22A。

一般还会给出这一个Rdson的曲线图：纵轴是导通电阻，横轴是ID电流。

可以看到在Vgs驱动电压不变的情况下，随着ID电流增加，Rdson也会增大。当Vgs电压较低时，Rdson会因为ID电流的变化而变得陡峭。

也就是说，如果ID电流不变的话，Vgs驱动电压增大，那MOS管的Rdson也会变得更小，这意味着MOS管发热量会更小。

所以在一些控制大电流的场合里，需要适当增大Vgs的驱动电压。

我们可以利用推挽驱动，让驱动电流更大，MOS管导通和关断的速度就会更快。