近年来，光刻技术一直是半导体芯片制造的关键环节之一。然而，国内自主研发的国产光刻机在制造90纳米水平的芯片上依然面临着巨大的挑战。不可否认，这成为了国产芯片制造中的最大短板。但是，我们不能因此泄气，而是要积极面对并解决这一问题。

首先，要了解国产光刻机制造90纳米芯片面临的困难。光刻技术是利用光学建模和精密光学设备对芯片进行高精度投影的一种成像方法。技术上的难点主要在于投影光源的稳定性、镜面反射率、设备的稳定性和制造工艺的准确度等方面。国产光刻机的投影光源尚未完全稳定，反射率也有待提高，这导致了光刻机制作90纳米芯片时存在一定的误差和限制。

然而，作为国产芯片制造的主力军，我们不能被困难所击倒。相较于欧美日等发达国家的光刻机，国产光刻机在研发方面仍处于起步阶段，正面临着巨大的机遇和发展空间。我们可以通过加强与国际企业和科研机构的合作交流，共同攻克技术难关，推动国产光刻机在制造90纳米芯片上的突破。

其次，提升国产光刻机技术水平还需加大投入与支持力度。国内政府和企业应当加大对光刻机制造领域的资金投入和政策支持，鼓励企业加大研发力度。同时，必须培养和吸引更多的优秀科研人才，建立更多的研发团队，搭建更好的合作平台，加强国家级科技项目的研发，并鼓励企业与科研机构之间的紧密合作，共同攻克技术瓶颈。

此外，加强技术创新和知识产权保护也是关键。在全球竞争激烈的芯片市场中，技术创新是立足之本。国产光刻机制造90纳米芯片的问题不仅是技术上的瓶颈，还涉及到知识产权和标准的制定。我们应当积极保护和尊重知识产权，提高自主研发创新能力，确保国产光刻机技术水平能够在合法和公平的竞争中获得发展。

最后，我们需要建立起完善的产业链和生态系统。国产光刻机行业应当与其他相关领域的企业和科研机构密切合作，形成完整的产业链和生态系统，实现技术、设备、材料等各个环节的协同发展。只有形成完善的产业链和生态系统，才能够实现国产光刻机技术的突破和成熟，推动整个国内芯片制造业的发展。

在国产光刻机制造90纳米芯片这一短板面前，我们需要以积极乐观的态度去面对，解决技术问题和制度问题，才能够实现短板的突破和弯道超车。国产光刻机的技术进步不仅对我国芯片制造业有着重要的促进作用，也有助于提升整个国民经济的核心竞争力。让我们共同努力，加大力度，推动国产光刻机技术的突破，实现芯片制造的自主发展。