DDR5 内存售价暴降 80%，终于到了无脑下手的时候！

虽说 DDR5 已注定会成为接下来的主流，但还是从评论区看到很多小伙伴儿留言表示：

家贫无以上新，然含泪固守 DDR4 矣！

好家伙，都说 PC 硬件换代革新是一场持久战，这果然不假。

那么本着顺应民意，咱们今天就来给大伙儿分享下 DDR4 内存有哪些门道。

其实甭管 DDR4 还是 DDR5 咱们在选购时需要注意，决定它性能最重要的核心只有一个，那就是 DRAM 芯片，也就是我们常说的内存颗粒。

DRAM 芯片对于一整条内存权重就好比显卡的 GPU 核心。

尽管品牌旗舰定位和丐版显卡用料、散热规模可以相差非常巨大，但只要采用了同一核心，那他们实际性能差异往往不会超过 5%。

不过哈，高性能内存条有无金属马甲以及良好的导热条件对性能发挥同样比较重要。

回到 DRAM 芯片上，它决定了内存高频潜力以及另一项关键参数——内存时序。

内存频率自然是越高越好，内存读写性能也会越强。

而时序可以简单理解为内存操作响应时钟周期，它决定了内存的延迟，时序越低延迟越低。

特别是很多对内存延迟敏感的游戏，相同频率不同时序的两条内存，其游戏性能表现往往差距会相当明显。

大伙儿呢只需重点关注 CL、TRCD、TRP 和 TRAS这四个时序参数即可，它们通常用符号「-」隔开。

例如咱们经常在内存宣传界面看到的 17-18-18-36 即代表该内存的主时序。

既然内存颗粒是决定内存性能的关键，老规矩依然给大家带来了以下热门 DDR4 颗粒排行：

如果非要用一句话概括：DDR4 内存颗粒可分两个阵容，一个叫三星 B-die，一个叫其他。

特挑三星 B-die 是毫无疑问断档式领先，强大的超频潜力与极低时序表现让它稳坐排行第一。

3600MHz 频率下 C14-14-14-28 只是它的基本盘，手动超频也能轻松做到 4000+ 频率 C15-15-15-35。

次一级的便是普通三星 B-die 颗粒，不过遗憾的是这俩老哥已经于数年前停产。

目前市面搭载此颗粒的内存已经相当罕见同时价格高的离谱，不再具有性价比。

而普通用户能正常买到表现还不错的颗粒包括国产长鑫特挑 A-die、海力士 CJR/DJR 以及镁光 C9 系列。

这些颗粒普遍具备 3600MHz 频率 C18-19-19-38 的基本盘，超频也是能轻松做到 4000MHz 以上。

第三梯队三星 C-die、三星 D-die、南亚 A-die 等颗粒，主打一个开 XMP 稳定用，不再具备多少超频潜力。

至于更多其他名不见经传的颗粒，频率、时序往往惨不忍睹，不提也罢！

因此总结来说，对于很多有一定动手能力的普通用户来说，搭载第二梯队的海力士 CJR/DJR、镁光 C9 等颗粒的 DDR4 内存无疑是性价比不错的选择。

同时，搭载这些颗粒的内存厂家一般会标注出颗粒型号，例如阿斯加特、光威、金百达、玖合等部分 DDR4 会直接标明采用海力士 CJR 颗粒，很好辨认。

没详细标注的嘛，大概率采用混发颗粒，什么妖魔鬼怪都有，纯粹看脸抽奖了！

新内存到手，很多小白用户在上机检查没问题后便直接默认开用，这其实存在一个很大的误区。

因为主机电脑为了广泛兼容性，通常会以 DDR4 初始频率 2400 或 2666MHz 默认运行。

而目前 DDR4 普遍支持 XMP（出厂前预写入一套超频文件），如果上机不开启 XMP 相当于白白损失性能。

开启方法也很简单，咱们只需在开机时按 Bios 启动快捷键进入主板 Bios（御三家主板普遍为 Del 键，其他主板也可根据型号上网查询）。

然后在 Bios 主界面或高级选项中打开 XMP，最后按 F10 保存退出即可。

例如我手上的 16G*2 海力士 CJR 颗粒 DDR4 内存，默认频率为 2400MHz，时序 C17-17-17-39。

此时用 AIDA64 内存测试工具测得，内存读/写在 36000-37000MB/s 左右，延迟 80ns 左右。

开启 XMP 后，频率为 3600MHz，时序 C16-20-20-38，内存电压 1.4V。

此时读/写在 53000-55000MB/s 左右，延迟 60ns 左右。

可以看到，内存读写性能提升高达 40% 以上，同时延迟降低了 30% 以上。

如果乐意动手对内存超个频还有更大提升。

以我手上这块华硕 B660 重炮手主板为例，进入 Bios 后关闭 XMP，按 F7 进入高级选择，点开 Ai Tweaker 页面；

我们首先将内存比率模式调整为 1∶1 也就是 G1 不分频模式；

然后调整内存频率，这个根据大伙儿内存颗粒来选择，如果是上图第二梯队颗粒基本上 4000MHz 没啥毛病；

咱手中 CJR 颗粒经过尝试调整为 4200MHz；

下拉找到内存电压选项，手动设置放宽至 1.45V；

内存电压需根据内存颗粒、频率、时序和体质来综合选择，常规内存不建议超过 1.45V，过高电压会导致发热增加甚至烧毁风险。

当然，三星 B-die 颗粒是出了名的相对比较耐高压，可适当放宽至 1.5V。

接着返回上拉找到内存时序选项；

将第一时序放宽至 C19-22-22-42，并将 DRAM Command Rate 选项调整为 2N，其他选项不用动；

时序的调整同样需要根据不同颗粒、频率和体质来决定，海力士 CJR 为了稳定可以考虑设置为内存电压 1.45V、频率 4000MHz，时序 C19-22-22-42。

以上选项修改完成后按 F10 保存重启。

再次测试，此时内存读/写进一步提升至 62000MB/s 左右，延迟来到 54ns 左右。

当然了，如果愿意花时间折腾，对内存频率、时序进行优化，同时压紧第一时序后的小参，内存性能和延迟表现提升还会更加明显。

另外，记得超频后结合内存烤鸡工具 TM5 测试内存稳定性哦！

电脑硬件如 CPU、显卡、内存条在合理范围内超频，可获得一部分额外性能的同时不会对硬件造成损坏。

但需要注意，任何超频行为都会伴随着一定风险，因此对于小白用户强烈建议多学习掌握相关知识后再进行操作。