11月7日，韩国媒体《时事周刊 e》报道指出，三星电子的第一代和第二代3纳米工艺（SF3E-3GAE和SF3-3GAP）的生产良率分别达到了约60%和20%，未能满足包括高通和英伟达在内的主要潜在客户所要求的70%标准。这一现状使得三星在最先进的芯片制造技术方面难以与竞争对手台积电竞争订单，对三星在尖端逻辑工艺领域的投资回报构成了负面影响。

作为一家集设计与制造于一体的综合型半导体企业（IDM），三星电子的设备解决方案（DS）部门下设的三个核心业务——存储器、系统LSI（大规模集成电路）和晶圆代工（Foundry）之间存在着密切的联系。

具体而言，如果系统LSI部门设计的自家Exynos处理器能够通过Foundry部门顺利生产，那么这将是对三星代工业务技术实力的一种有力证明，有助于吸引外部客户选择三星提供的逻辑代工、HBM（高带宽内存）和先进封装的一体化解决方案。这反过来又可以增加存储器业务部门生产的先进HBM内存的市场需求。

然而，三星电子当前尚未建立起这种理想的良性循环，这导致其整个半导体业务板块面临着严峻挑战。据韩媒分析，三星电子的DS部门可能在即将进行的集团年度管理层调整中迎来高层的大规模变动，三大业务部门的领导层都有可能被替换。值得注意的是，这次调整预计将在本月内完成，比通常情况下提前了一个月左右的时间。事实上，早在今年5月份，三星电子就已经出乎意料地进行了年中的高层人事调整，由全永贤接替了庆桂显担任DS部门的总负责人。