近期，行业消息显示，为了应对人工智能（AI）热潮带动存储芯片需求提升，三星电子及美光均扩产存储芯片产能。三星方面，决定最快将于2024年第三季重启建设新平泽工厂（P5）基础建设。美光则正在美国爱达荷州博伊西的总部建设HBM测试产线与量产线，并首次考虑在马来西亚生产HBM，以满足人工智能热潮带来的更多需求。 三星重启新平泽工厂（P5） 外媒消息显示，三星电子决定重启新平泽工厂（P5）基础建设，预计最快将于2024第三季重启建设，完工时间推估为2027年4月，不过实际投产时间可能更早。 此前报道显示，该厂于1月底停工，三星彼时表示“这是协调进度的临时措施”，“投资尚未到位”。三星P5厂此番恢复建设的决定，行业多方解读，更多认为是为了应对人工智能（AI）热潮带动存储芯片需求提升，公司进一步扩大产能。 据悉，三星P5工厂是一座拥有8个洁净室的大型晶圆厂，而 P1 至 P4 则只有4个洁净室。这使得三星电子满足市场需求的大规模生产能力成为可能。但是目前，关于P5的具体用途还尚未有官方消息披露。 据韩媒报道，业界消息称，三星电子于5月30日召开了董事会内部管理委员会会议，提交并通过了有关P5基础建设的议程。管理委员会由首席执行官兼DX部门负责人Jong-hee Han担任主席，成员包括MX业务部门负责人Noh Tae-moon、管理支持总监Park Hak-gyu和存储业务部门负责人Lee Jeong-bae。 三星公司担任副总裁兼DRAM产品和技术主管Hwang Sang-joong 今年三月曾表示，预计今年HBM产量将是去年的2.9倍。同时，该公司公布了HBM路线图，预计2026年HBM出货量将是2023年产量的13.8倍，到2028年，HBM年产量将进一步增至2023年水平的23.1倍。 美光在美建设HBM测试产线与量产线 6月19日，多家媒体消息显示，美光正在美国爱达荷州博伊西的总部建设HBM测试产线与量产线，并首次考虑在马来西亚生产HBM，以满足人工智能热潮带来的更多需求。据悉，美光博伊西晶圆厂将于2025年上线投运，2026年启动DRAM生产。 美光此前宣布，计划在一年后将其高带宽内存 (HBM) 市场份额从目前的“中个位数”提高到20%左右。截止目前，美光已在多地扩建存储产能。 4月末，美光科技正式在其官网宣布，获得美国《芯片与科学法案》61亿美元政府补助。这些拨款以及额外的州和地方激励措施将支持美光在爱达荷州建设一个领先的DRAM存储器制造工厂，并在纽约州克莱镇建设两座先进DRAM存储器制造工厂。 位于爱达荷州的工厂已于2023年10月开工。美光表示，该厂预计将于 2025年上线并投入运营，2026年正式开始DRAM的生产，DRAM产量也将随着行业需求的增长而不断增加。纽约项目则正在进行初步设计、实地研究和包括NEPA在内的许可申请。该座晶圆厂的建设预计将于2025年开始，并于2028年投产并贡献产量，并根据未来十年的市场需求而增加。新闻稿表示，美国政府的补贴将支持美光计划到2030年为美国国内领先的存储器制造，投资约500亿美元的总资本支出。 今年5月日媒《日刊工业新闻》消息称，美光将斥资6000~8000亿日元在日本广岛兴建一座采用极紫外光(EUV)微影制程的先进DRAM芯片厂，预计2026年初动工、最快2027年底完工。此前，日本已批准多达1920亿日元补贴，支持美光在广岛建厂并生产新一代芯片。 据悉，美光在广岛的新工厂位于现有的Fab 15附近，专注于DRAM生产，不包括后端封装和测试，并将重点放在HBM产品上。 马来西亚建厂方面，2023年10月，美光在马来西亚槟城的第二座智能(尖端组装与测试)工厂落成开业，该工厂初期投入了10亿美元。在第一座工厂建成后，美光再加码10亿美元扩建第二座智慧厂房，将工厂建筑面积扩充至150万平方尺。