随着芯片重要性的不断提升，芯片制造的核心设备光刻机更加受到关注，毕竟光刻机的先进程度决定着芯片制程的先进程度，于是光刻机也就成了美方重点限制对象。

对此，ASML多次发出警告，实施限制只会加速大陆光刻机实现突破。果不其然，近日消息传来，我们的国产光刻机正式官宣，而美荷却保持沉默，ASML恐怕要焦虑了！

就在前几天，我国工信部发布了重大技术装备推广应用指导目录，其中就列出了两款国产光刻机，一款氟化氪光刻机，波长248nm，分辨率≤110nm，套刻≤25nm。

另一款氟化氩光刻机，波长193nm，分辨率≤65nm，套刻≤8nm。从公布的参数来看，第一款并不突出，属于KrF光刻机。而第二款就不一样了，属于ArF光刻机。

该目录一经公布，迅速引发了各方的关注，要知道这可是官方发布的应用指导目录。

看到这些参数，很多人可能不明白，这个光刻机到底是什么水平呢？有的看到分辨率小于等于65nm，认为并不太先进。有的看到套刻小于等于8nm，认为非常先进。

我们都知道，全球能够生产芯片制造用光刻机的厂家共有4个，分别是荷兰ASML、日本尼康和佳能、我国上海微电子。而上海微电子对外最先进的光刻机制程是90nm。

这次氟化氩光刻机的分辨率≤65nm，说明我们国产光刻机更进一步，取得重要进步。

那么，这款国产光刻机到底能够做出什么制程的芯片呢？这款氟化氩光刻机属于ArF光刻机，也就是DUV，尽管套刻≤8nm，但这并不表明能做出≤8nm制程的芯片。

一般情况下，要按光刻机套刻精度与芯片量产工艺 1:3来计算。也就是说，这款国产氟化氩光刻机大概能够量产28nm制程的芯片，相当于这是一款初级DUV光刻机。

不过，这已经非常了不起了，这说明我们28nm成熟制程工艺已经完全实现国产化。

值得一提的是，这可是我们官方对外公开的国产光刻机，是能够完全进入实际量产应用的。实际上，对外公开的一般都不是最先进的，我们肯定还有比公开更先进的。

关键是，我们选择在这个时候对外公开国产光刻机，自然也有着一定的深远意义。要知道，近几年美方不断加码芯片限制，先进限制高端EUV，后又限制浸润式DUV。

在美方的督促下，荷兰去年正式实施出口管制，限制了NXT:2000i及后续先进DUV。

近日，荷兰方面又再次修改出口管制，将两款老款的浸润式DUV也加入出口管制，就是NXT:1970i和NXT:1980i。这样的话，ArFi浸润式光刻机就全被列入了出口管制。

即使这样，美方似乎并不满足，还想要限制光刻机售后维修或再次扩大光刻机限制。

就在这个时候，我们对外公布国产光刻机新突破，就是对光刻机限制的有力反击，说明我们也有实力生产光刻机，再扩大限制已没有意义，所以美荷只能保持沉默了。

因为光刻机限制已接近最大化，美荷该用的手段基本上都用了，并且他们也清楚，我们一向是应用一批、研发一批、储备一批，极有可能我们还有更加先进的光刻机。

对此，有外媒直接表示，ASML恐怕应该焦虑了。按照目前情况来看，我们成熟制程的设备已经可以开始全面替代，ASML要担心自己的低端DUV光刻机以后该卖给谁了。

要知道，如今ASML来自大陆市场的营收已经占到49%，主要就是依赖低端光刻机。

更令人ASML担心的是，我们的华为已经实现了自研麒麟芯片的回归，并且据各方测试达到了7nm，至于是如何生产的，外界还不知道，说不定就用到了国产光刻机。

另外，现在光刻机制程已经基本发展到了极致，再往后恐怕制程已不再那么重要，因为已经开始比拼先进封装技术了，更有利于国产光刻机，ASML应该担心焦虑了！