继11月4日消息称，三星电子启动减产（50%代工产线）、大规模自愿退休计划（30%）后。

11月5日，韩媒报道，三星电子很快将开始销售各条前端和后端生产线的旧设备，其中包括其位于中国西安的NAND闪存工厂。三星目前已与多家公司的讨论已经开始，预计出售过程将于明年正式开始。销售的设备大部分是100层3D NAND设备。

据业内人士透露，三星电子近期正在半导体部门（DS）实施大规模成本削减和产线调整，也包括考虑出售其中国半导体生产线长期堆积的旧设备。据悉，自2022年10月美国商务部禁止向中国企业出口尖端半导体设备以来，此类销售业务已全面停止。

根据美国政府的指导方针，18nm以下工艺的DRAM、14nm以下的系统半导体生产设备和技术、128层以上的NAND闪存设备不能出口到中国。

但也有例外，就是从美国政府获得“经认证终端用户”(Validated End-User，VEU)认证。所谓“VEU”是一种白名单机制，允许事先获得美国政府批准的企业出口指定项目。被列入VEU后企业不需另外获得批准即可适用出口禁令豁免。

据悉，在2023年10月9日，韩国方面通报称，美国商务部已经同意向三星电子和SK海力士位于中国的晶圆厂提供“无限期豁免”，即在无需单独批准的情况下，三星电子和SK海力士可以向中国工厂供应美国半导体设备。

但为规避风险，不受美国制裁的设备三星电子和SK海力士也都尚未进行出售。

不过，对于如今的三星电子来说，旧设备及时处理更换需要提上日程了。

近年来，三星不仅在HBM和DDR5领域落后于 SK 海力士，三星在 DRAM 市场也面临竞争压力。

中国市场为例，自去年以来，三星电子一直致力于将其中国西安工厂的工艺转换为200层工艺，以提升竞争力。年初消息称，其竞争对手SK海力士也已经开始“升级”无锡工厂。与此同时，还面临来自中国本土企业，长江存储、长鑫存储新兴力量的冲击。

为此今年5月21日，三星电子还突然宣布更换了半导体DS（设备解决方案）部门负责人，以寻求赶上竞争对手SK海力士。

去年三星半导体业务遭遇15年来最差表现。2023财年（截至2023年12月）业绩报告显示，半导体部门亏损14.88万亿韩元。这是三星半导体部门15年来首次出现亏损，也是史上最大的亏损额。其中，存储芯片营收下降36%，降至44.13万亿韩元，代工等“其他半导体”的营收也下降25%，降至22.46万亿韩元。

到了今年，根据三星电子公布的最新2024年截至9月的三季度业绩报告来看，三季度营收为79.1万亿韩元，同比增长17%，净利润10.1万亿韩元，同比大幅增长72.9%。但营业利润由上季度的10.44万亿韩元下降至9.18万亿韩元，不及市场预期的9.14万亿韩元。

其中半导体部门（DS）三季度的合并收入同比增长112%至29.27万亿韩元，也不及市场预期的30.53万亿韩元。营业利润为3.86万亿韩元，去年同期为-3.75万亿韩元。

值得注意的是，三星芯片部门第三季度营业利润尽管实现同比扭亏为盈，但远低于上一季度的6.45万亿韩元，环比大降近40%。作为对比，SK海力士第三季度创下了7万亿韩元的营业利润，同比扭亏为盈，环比增长29%，创下历史新高。

早在9月初，韩国媒体就曾报道称，三星公司计划在年底前启动重组 DS（设备解决方案）部门计划。

当时，三星发言人承认，公司在新工艺开发部门与量产责任部门之间仍存在脱节现象，由于失败责任的推诿，导致严重问题频发。因此本次重组幅度很大，要从根本上变革其组织架构。

11月1日，韩国媒体最新报道，三星电子的半导体部门正在暂时关闭其代工厂（合同制造）的生产线，以降低成本。分析师估计，这家芯片制造商的代工业务在第三季度录得高达 1 万亿韩元的亏损，促使该公司采取停产部分生产线的措施来削减成本。

知情人士透露，三星电子已关闭了平泽 2 号线 (P2) 和 3 号线 (P3) 超过30%的4nm、5nm和7nm晶圆代工生产线，并计划在年底前将停产范围扩大到 50% 左右。该公司打算在监控客户订单的同时逐步停止运营。这一决定反映了三星降低运营成本的努力。

而随着三星逐步关闭一些晶圆代工生产线，必然会对相应的产线员工进行裁员。11月4日消息，三星电子高管近日透露，将实施前所未有的四轮大规模自愿退休计划，特别是针对持续亏损的晶圆代工制造团队，8英寸代工制造和技术团队将裁员30%以上。

随着大规模重组削减成本，旧设备自然也不可忽视。韩国媒体称，预计韩国遗留线路将进行大规模开工率调整和劳动力调整，据悉，高层的表态是中国工厂也不例外。