芯片等规则被修改后，台积电就宣布在美建厂，直接投资120亿美元建设5nm芯片生产线，而美也承诺给台积电补贴。

美就已经批准了一项超过520亿美元的补贴，结果台积电建厂补贴却迟迟没有到账，英特尔甚至还明确表达了不想让台积电获得相关补贴的意思。

由于台积电在美建厂成本超出预期，120亿美元根本不够，再加上，补贴迟迟没有到账，结果台积电表示在美建厂是我们太天真了。

关键是，台积电还直接喊话美，超520亿美元的补贴不应该只给本土芯片企业，也应该给在美建厂的国外企业。

然而，这一事件还没有过去，美就开始联合日企等研发2nm芯片，并表示严格防止技术泄露，从而实现更多2nm等芯片在本土生产制造。

这一消息传出后，台积电直接对外表示，2nm芯片工厂将会在今年第三季度正式开建，台积电计划在2024年试产2nm芯片，2025年量产2nm芯片。

另外，台积电还公布了部分2nm芯片的参数，其将采用环绕栅极晶体管，在相同功耗下，N2比N3E速度快10~15%；

相同速度下，功耗降低25~30%，密度也将提升10%。

最主要的是，台积电还明确表示其将会在2024年正式拥有High-NA EUV光刻机。

要知道，High-NA EUV光刻机是全新一代光刻机，可以将芯片制程缩小至2nm芯片，ASML曾表示该光刻机的原型机将会在2023年完成，2025年向市场出货等。

也就是说，台积电2024年就将拥有High-NA EUV光刻机，这意味着ASML还是将最先进的光刻机优先出货给台积电安装、测试等。

台积电就优先获得大量的EUV光刻机，才保证先进制程芯片超高的良品率和产能，如今，又将获得全新一代High-NA EUV 光刻机，自然会持续领先芯片制造技术。

面对这样的情况下，就有外媒表示台积电做十五了。

首先，台积电在美建厂其实就想获得自由出货许可，结果高通、三星、ASML以及英特尔等厂商都获得部分出货许可，而台积电却什么都没有得到。

相比高通、ASML以及英特尔而言，台积电可是付出了很高的成本，120亿美元在美建设5nm芯片生产线，毕竟，美本土还没有能力生产制造7nm等制程的芯片。

其次，台积电宣布在美建厂时，美承诺给补贴，结果工厂进行过半，下一步就可以进行设备入场了，补贴却迟迟没有到账，甚至还不想给台积电了。

所以台积电才有上述表态，称在美建厂是我们太天真了，在美建厂25年的经验告诉我们，有效益但我们却迟迟没有扩建。

可以说，台积电此举明显就是告诉那些计划在美建厂的厂商，一定要慎重。

最后，台积电在美建设5nm芯片生产线，美却联合日企等搞2nm芯片，还要实现更多芯片在本土生产制造，这明显在排挤台积电，毕竟，台积电在美产能有限。

台积电宣布建设2nm芯片工厂，并公布了2nm芯片的进度以及性能参数等，目的就是宣布自身在芯片制造技术方面是领先的，想超越是不现实。

同时，台积电称将会在2024年获得High-NA EUV光刻机，也是表示自身有优先供货全，最先进的光刻机还将优先出货给台积电。

这就意味着2nm及以下制程的芯片的产能，台积电仍将是会一枝独秀。

也正是因为如此，外媒才说台积电“做十五”了。对此，你们怎么看，欢迎留言、点赞、分享。