在自旋电子学领域，利用电流操控磁性状态因其在下一代存储和逻辑设备中的潜在应用而备受关注。在各种磁性材料中，反铁磁体（AFM）因其独特的性质（如无净磁化和对外部磁场的鲁棒性）脱颖而出。反铁磁体中一个引人注目的现象是电流驱动的反铁磁序切换，其中热效应起着至关重要的作用。最近发表的一篇论文探讨了电流驱动的反铁磁序切换中的热贡献，探讨了其基本机制、实验观察和理论模型。

电流驱动的反铁磁序切换主要涉及自旋极化电流与材料中磁矩之间的相互作用。这种相互作用可以通过自旋转移矩（STT）和自旋轨道矩（SOT）机制来描述。在STT中，自旋极化电流的角动量转移到局部磁矩上，导致磁序的变化。SOT则源于自旋霍尔效应或Rashba-Edelstein效应，其中界面处的自旋积累对磁矩产生扭矩。

然而，这些机制并不是切换过程的唯一原因。电流流动的副产品——焦耳热显著影响了切换动力学。由于材料的电阻产生的热量可以局部升高温度，影响磁性特性并促进切换过程。

当电流通过电阻材料时，会发生焦耳热效应，将电能转化为热能。在反铁磁体中，这种加热可以导致温度升高，可能超过奈尔温度（反铁磁序消失的温度）。当温度超过奈尔温度时，反铁磁体会发生相变，进入磁矩无序的顺磁态。在冷却过程中，磁序可以重新配置，导致切换状态。

焦耳热的程度及其对切换过程的影响取决于多个因素，包括电流密度、材料特性和基板的热导率。例如，具有较高电阻率或较低热导率的材料在给定电流密度下会经历更显著的加热。

最近的实验表明，热效应在电流驱动的反铁磁序切换中起着关键作用。例如，对非共线反铁磁体Mn₃Sn的研究表明，切换阈值电流密度受基板热特性和基温的影响。切换的临界温度在奈尔温度以上保持相对恒定，表明焦耳热是切换过程中的主导因素。

此外，实验表明，从去磁状态冷却过程中磁序的重新配置与热模型的切换一致。这种重新配置对于实现基于反铁磁体设备的可靠和可重复的切换至关重要。

为了量化电流驱动切换中的热贡献，研究人员开发了包含焦耳热效应的分析模型。这些模型计算了由于电流流动引起的温度升高，并预测了反铁磁序可以切换的条件。一个这样的模型考虑了电流产生的热量与散热之间的平衡，提供了微电子设备中温度变化的见解。

基于这些模型的数值模拟展示了反铁磁设备内的温度分布及其导致的磁序变化。这些模拟有助于理解热效应与自旋矩效应之间的相互作用，指导基于反铁磁体的自旋电子设备的设计。

对电流驱动切换中热贡献的理解对自旋电子设备的发展具有重要意义。通过优化材料特性和设备几何形状，可以控制焦耳热效应，并在较低电流密度下实现高效切换。这种优化可以导致基于反铁磁体的节能和高速存储及逻辑设备的发展。

此外，研究热效应所获得的见解可以应用于其他磁性材料和切换机制，拓宽自旋电子学研究和技术的范围。

电流驱动的反铁磁序切换中的热贡献是自旋电子学研究的关键方面。焦耳热通过升高温度并在反铁磁体中引发相变，在促进切换过程中起着至关重要的作用。实验观察和理论模型提供了对这些热效应的全面理解，指导了自旋电子设备的设计和优化。随着该领域研究的进展，所获得的见解将为基于反铁磁材料的先进存储和逻辑技术的发展铺平道路。